你可以用sram。現(xiàn)在已經(jīng)有sram的IC在出售了。不過(guò)大部分的51單片機(jī)都不支持。。。。

188610329 發(fā)表于 2022-1-10 20:19
1, 可以外掛 擴(kuò)展內(nèi)存.
2, 外掛擴(kuò)展內(nèi)存, 讀寫(xiě)速度依據(jù) 你單片機(jī)的核心資源不同,  最終效果不見(jiàn)得能滿足你 ...

具體讀寫(xiě)速度，需要用示波器或邏輯分析儀抓一下才知道。

QWE4562012 發(fā)表于 2022-1-11 16:55
 ALIENTEK 戰(zhàn)艦 STM32F103 板載資源如下：  ◆  CPU：STM32F103ZET6，LQFP144，F(xiàn)LASH：512K ...

考慮的是讓你學(xué)會(huì)各種常見(jiàn)外圍芯片的使用。

真正用的人，是自己畫(huà)板子的。是不會(huì)出現(xiàn)這種搭配的。

 ALIENTEK 戰(zhàn)艦 STM32F103 板載資源如下：  ◆  CPU：STM32F103ZET6，LQFP144，F(xiàn)LASH：512K，SRAM：64K；  ◆  外擴(kuò) SRAM：XM8A51216，1M 字節(jié)  ◆  外擴(kuò) SPI FLASH：W25Q128，16M 字節(jié)  ◆  1 個(gè)電源指示燈（藍(lán)色）  ◆  2 個(gè)狀態(tài)指示燈（DS0：紅色，DS1：綠色）  ◆  1 個(gè)紅外接收頭，并配備一款小巧的紅外遙控器  ◆  1 個(gè)  EEPROM 芯片，24C02，容量 256 字節(jié)    既然都有W25Q128大容量了何必用24C02？考慮的是什么

rayin 發(fā)表于 2022-1-11 08:51
STM32如果RAM不夠用，是可以外擴(kuò)8M XM8A51216。 51單片機(jī)可以外擴(kuò)6116， 62256 這些IC來(lái)增加RAM的

RAM都偏小

123456ZXC1 發(fā)表于 2022-1-10 18:11
EEPROM的全稱是“電可擦除可編程只讀存儲(chǔ)器”，即Electrically Erasable Programmable Read-Only Memory。 ...

那flash和eeprom屬于同一類(lèi)的東西了  都是用來(lái)放程序的

可以但是不建議，花費(fèi)的人力物力還不如買(mǎi)個(gè)大內(nèi)存的

當(dāng)然可以，一般都是比較多引腳的才能外接

STM32如果RAM不夠用，是可以外擴(kuò)8M XM8A51216。 51單片機(jī)可以外擴(kuò)6116， 62256 這些IC來(lái)增加RAM的

1, 可以外掛 擴(kuò)展內(nèi)存.
2, 外掛擴(kuò)展內(nèi)存, 讀寫(xiě)速度依據(jù) 你單片機(jī)的核心資源不同,  最終效果不見(jiàn)得能滿足你的期待. 以51為例, 對(duì)對(duì)外掛擴(kuò)展內(nèi)存  即XDATA 即便，使用并口傳輸方式， 讀寫(xiě)的速度也是相當(dāng)?shù)穆�，而且所有的�?jì)算操作都要經(jīng)過(guò)中間寄存器過(guò)渡。如果不是實(shí)在缺少內(nèi)存，并不推薦這種方式。

EEPROM的全稱是“電可擦除可編程只讀存儲(chǔ)器”，即Electrically Erasable Programmable Read-Only Memory。是相對(duì)于紫外擦除的rom來(lái)講的。但是今天已經(jīng)存在多種EEPROM的變種，變成了一類(lèi)存儲(chǔ)器的統(tǒng)稱。
狹義的EEPROM：
這種rom的特點(diǎn)是可以隨機(jī)訪問(wèn)和修改任何一個(gè)字節(jié)，可以往每個(gè)bit中寫(xiě)入0或者1。這是最傳統(tǒng)的一種EEPROM，掉電后數(shù)據(jù)不丟失，可以保存100年，可以擦寫(xiě)100w次。具有較高的可靠性，但是電路復(fù)雜/成本也高。因此目前的EEPROM都是幾十千字節(jié)到幾百千字節(jié)的，絕少有超過(guò)512K的。
flash:
flash屬于廣義的EEPROM，因?yàn)樗�也是電擦除的rom。但是為了區(qū)別于一般的按字節(jié)為單位的擦寫(xiě)的EEPROM，我們都叫它flash。
flash做的改進(jìn)就是擦除時(shí)不再以字節(jié)為單位，而是以塊為單位，一次簡(jiǎn)化了電路，數(shù)據(jù)密度更高，降低了成本。上M的rom一般都是flash。
flash分為nor flash和nand flash。nor flash數(shù)據(jù)線和地址線分開(kāi)，可以實(shí)現(xiàn)ram一樣的隨機(jī)尋址功能，可以讀取任何一個(gè)字節(jié)。但是擦除仍要按塊來(lái)擦。

nand flash同樣是按塊擦除，但是數(shù)據(jù)線和地址線復(fù)用，不能利用地址線隨機(jī)尋址。讀取只能按頁(yè)來(lái)讀取。（nandflash按塊來(lái)擦除，按頁(yè)來(lái)讀，norflash沒(méi)有頁(yè)）

由于nandflash引腳上復(fù)用，因此讀取速度比nor flash慢一點(diǎn)，但是擦除和寫(xiě)入速度比nor flash快很多。nand flash內(nèi)部電路更簡(jiǎn)單，因此數(shù)據(jù)密度大，體積小，成本也低。因此大容量的flash都是nand型的。小容量的2～12M的flash多是nor型的。
使用壽命上，nand flash的擦除次數(shù)是nor的數(shù)倍。而且nand flash可以標(biāo)記壞塊，從而使軟件跳過(guò)壞塊。nor flash 一旦損壞便無(wú)法再用。
因?yàn)閚or flash可以進(jìn)行字節(jié)尋址，所以程序可以在nor flash中運(yùn)行。嵌入式系統(tǒng)多用一個(gè)小容量的nor flash存儲(chǔ)引導(dǎo)代碼，用一個(gè)大容量的nand flash存放文件系統(tǒng)和內(nèi)核。

可以外掛，但不是每一款都支持