wulin 發表于 2021-1-19 09:48 樓主位的電路主干的結構是完全沒問題的，全都正確。 Q5的DS反偏也是可以導通的，只要G高于S一定電壓即可。內部寄生二極管有兩大嚴重問題，一是導通電壓過高影響效率，二是存儲效應導致從導通到截止的恢復時間過長。寄生二極管可以在Q5導通前臨時當續流二極管來用，Q5導通后寄生二極管兩端電壓低于飽和電壓，恢復到截止狀態，這樣Q5斷開時寄生二極管已經截止，不存在存儲效應造成的短時間短路。 同步整流技術就是因為現在芯片工藝越來越小，電源電壓越來越低，整流/續流二極管的壓降成為影響效率越來越刺眼的因素，用MOSFET替代二極管，利用導通電阻小的特長來提高效率。 樓主的電路也可能有問題，主要是兩個管子翻轉的瞬間會不會有什么問題。但是這些我的能力已經分析不出來了，只能讓樓主自己建立真實的電路來實際測量才會知道。 |
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這是3408同步整流結構： 注意零點檢測器，就是過零檢測電路。 
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| 用mos代替二極管，必須加電流過零檢測，及時關斷反向電流。若沒有過零檢測電路，電感反向電流會通過mos泄流，最終結果是mos發熱很快燒燬，電路損壞。這個過程中即使沒有燒燬，效率非常低，電壓大幅度波動。效率是絕對低於二極管的，效率可能會低於50% 或10%，也有可能到1%的效率甚至0%。 |
黃youhui 發表于 2021-1-19 10:30 MOS管內部的二極管不是用于防止擊穿的，也不是為了防止DS接反保護用的。是其制作工藝所形成的寄生物。其反向擊穿電壓與VDS擊穿電壓等同。如果Q5改變DS方向接入電路將發生災難性后果。
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wulin 發表于 2021-1-19 09:48 我和樓主的mos管都放錯方向了，mos管內部的二極管應該是和電流導通方向相反的，用于防止擊穿的。置于您說的回流，除非放電比充電快不然的話，GND不能回流到電感吧。 |
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NPN和PNP導通的條件是Ube的電壓滿足一定的值，你這樣讓Q9的Ube怎么低于0.7，（Ube不是Ueb），你還是加個上拉電阻吧，然后計算分壓，讓Q9能夠的Ube能夠在MCU_IO輸出低電平時分壓低于0.7 |
kadiya 發表于 2021-1-18 14:43 樓主設計的電路圖來源于經驗證過的原電路圖，只是把續流二極管換成了NMOS。當Q2、Q5的G極公共接點低電位時Q2導通，Q5截止，通過L蓄能并向負載供電，L左正右負。當G極高電位時Q2截止，L左負右正。Q5的DS反向偏置，G極電位高低對Q5沒有意義，其內部寄生二極管正向導通可以完成續流。那么二極管換成了NMOS管的意義何在？？？ |
黃youhui 發表于 2021-1-18 15:48 或者將Q9換成三極管。 |
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本帖最后由 kadiya 于 2021-1-19 07:41 編輯 謝謝，您這個電路圖設計的很專業，Q8的2k電阻能否去掉，這樣開關是不是會更快一點。 |
kadiya 發表于 2021-1-18 14:43
你的電路圖應該是這樣的吧。 MCU高電平時，拉低電壓N_MOS管Q9導通，NPN管Q6關閉，將+12電壓接到Q8和Q7的柵極上，然后Q7導通，Q8關閉。 MCU低電平時，拉高電壓N_MOS管Q9關閉，NPN管Q6導通，將GND電壓接到Q8和Q7的柵極上，然后Q7關閉，Q8導通。 |
| 搞不懂這個電路干嗎用的！ |
| 這個電路其實就是用nmos代替二極管，怎么不能用。 |
組圖打開中，請稍候......
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