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標題:
請問有用過GD32的高手,請教一下程序移植問題
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作者:
aaaaa551127
時間:
2020-5-12 20:59
標題:
請問有用過GD32的高手,請教一下程序移植問題
最近公司推國產化,要求使用更廉價的國產的GD32f1x替換STM32,請問:
1.我畫原理圖的時候,可以直接使用STM32的封裝和原理圖嗎?有沒有引腳不對應的情況?或者焊盤長短問題導致焊不上去?
2.GD32f1x可以用keil開發嗎?是否可以直接把原來STM32的源工程直接down到GD32f1x中去?如果不可以,有什么需要注意的?或者推薦的文檔參考的?我百度了半天,五花八門的,有點迷,希望有熱心前輩們給我準信
3.GD32f1x的最小系統板跟STM32最小系統是一樣的嗎?可以直接就換單片機其他什么都不管嗎?
作者:
kvdong
時間:
2020-5-12 21:08
1,有不同的地方,需要看各自的數據手冊;
2,可以用KEIL開發,但不能直接寫編譯后的STM32程序,硬件驅動部分有區別。參考文檔就看數據手冊啊;
3,不一樣,不可以
作者:
1289822847
時間:
2020-6-19 18:37
Hi,你們公司做什么的,我是GD32的
作者:
angmall
時間:
2020-6-20 07:57
GD32 介紹與 STM32 兼容性匯總
一、 GD32 與 STM32 異同
1. 相同點
1) 外圍引腳定義: 相同型號的管腳定義相同
2) Cortex M3 內核: STM32F103內核 R1P1版本, STM32F205內核 R2P1,
GD32內核 R2P1版本,此內核修復了 R1P1的一些 bug
3) 芯片內部寄存器,
外部 IP寄存器地址 : 邏輯地址相同,主要是根據STM32的寄存器和物理地址,
做的正向研發.
4) 函數庫文件: 函數庫相同,優化需要更改頭文件
5) 編譯工具: 完全相同 例如:keil MDK、IAR
6) 型號命名方式: 完全相同
2. 外圍硬件區別
1) 電壓范圍(ADC): GD32F: 2.6-3.6V STM32F: 2.0-3.6V(外部電壓)
GD32F: 1.2V(內核電壓)STM32F: 1.8V(內核電壓)
2) BOOT 0 管腳: Flash 程序運行時,BOOT0 在 STM32 上可懸空,GD32 必須外
部下拉(從 Flash 運行,BOOT0 必須下拉地)
3) ESD 參數: STM32 人體模式 2KV,空氣模式 500V
GD32 人體模式 4KV(內測 5KV),空氣模式 10KV(內測 15KV)
3. 內部結構差別
1) 啟動時間: GD32 啟動時間相同,由于 GD 運行稍快,需要延長上電時間
配置(2ms)
2) 主頻時鐘: GD32F10 系列主頻 108MHZ STM32F10 系列主頻 72MHZ
3) Flash 擦除時間: GD32 是 60ms/page,STM 30ms/page
4) FLASH 容量: GD32 最大容量 3M Byte
5) SRAM 空間: GD32F103 系列、GD32F105\107 大容量系列 SRAM 96K
6) VB 外擴總線 FSMC:GD32 100PIN 配置總線輸出,STM32 144PIN 并且 256k 以上
才配置總線輸出
4. 功耗區別(以128k以下容量的作為參考)
1) 睡眠模式 Sleep: GD32F: 12.4mA STM32F10X: 7.5mA
2) 深度睡眠模式 Deep Sleep: GD32F: 1.4mA STM32F10X: 24uA
3) 待機模式 Stand By: GD32F: 10.5uA STM32F10X: 3.4uA
4) 運行功耗: GD32F: 32.4mA/72M STM32F10X: 52mA/72M
5. 內部FLASH 區別
1) ISP: 擦寫時間同 STM32 有差異,使用新版 ISP 軟件
2) IAP: 擦寫時間相同,按字寫入,按頁擦除
3) 存儲壽命: 10 萬次擦寫,數據保存 20 年以上
4) 加密特性: 除了常規的禁止讀出和96 位 ID號碼加密之外,GD32 數據寫入
Flash 時,具有存儲邏輯地址連續,物理地址不連續的特性。
二、 GD32 介紹與兼容性詳析
http://m.raoushi.com/bbs/dpj-170368-1.html
歡迎光臨 (http://m.raoushi.com/bbs/)
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