一份電路在其輸出端串接了一個22K的電阻，在其輸出端和輸入端之間接了一個10M的電阻。揚興科技介紹這是由于連接晶振的芯片端內部是一個線性運算放大器，將輸入進行反向180度輸出，晶振處的負載電容電阻組成的網絡提供另外180度的相移，整個環路的相移360度，滿足振蕩的相位條件，同時還要求閉環增益大于等于1，晶體才正常工作。
和晶振串聯的電阻常用來預防晶振被過分驅動。晶振過分驅動的后果是將逐漸損耗減少晶振的接觸電鍍，這將引起頻率的上升，并導致晶振的早期失效，又可以講drive level調整用。用來調整drive level和發振余裕度。晶振輸入輸出連接的電阻作用是產生負反饋，保證放大器工作在高增益的線性區，一般在M歐級，輸出端的電阻與負載電容組成網絡，提供180度相移，同時起到限流的作用，防止反向器輸出對晶振過驅動，損壞晶振。
Xin和Xout的內部一般是一個施密特反相器,反相器是不能驅動晶體震蕩的.因此,在反相器的兩端并聯一個電阻,由電阻完成將輸出的信號反向。
電阻的作用是將電路內部的反向器加一個反饋回路，形成放大器，當晶體并在其中會使反饋回路的交流等效按照晶體頻率諧振，由于晶體的Q值非常高，因此電阻在很大的范圍變化都不會影響輸出頻率。過去，曾經試驗此電路的穩定性時，試過從100K～20M都可以正常啟振，但會影響脈寬比的。
晶體的Q值非常高，Q值是什么意思呢?
晶體的串聯等效阻抗是Ze = Re + jXe，Re<< |jXe|，晶體一般等效于一個Q很高很高的電感，相當于電感的導線電阻很小很小。Q一般達到10^-4量級。避免信號太強打壞晶體的。電阻一般比較大，一般是幾百K。串進去的電阻是用來限制振蕩幅度的，并進去的兩顆電容根據LZ的晶振為幾十MHZ一般是在20~30P左右，主要用與微調頻率和波形，并影響幅度，并進去的電阻就要看IC spec了，有的是用來反饋的，有的是為過EMI的對策可是轉化為并聯等效阻抗后，Re越小，Rp就越大，這是有現成的公式的。晶體的等效Rp很大很大。外面并的電阻是并到這個Rp上的，于是，降低了Rp值----->增大了Re ----->
降低了Q 精確的分析還可以知道，對頻率也會有很小很小的影響。
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