STM32F103ZET6 自帶了 64K 字節的 SRAM，對一般應用來說，已經足夠了，不過在一些對內存要求高的場合，STM32 自帶的這些內存就不夠用了。比如跑算法或者跑 GUI 等，就可能不太夠用

        IS62WV51216 簡介

        IS62WV51216 是 ISSI（Integrated  Silicon  Solution,  Inc）公司生產的一顆 16 位寬 512K（512*16，即 1M 字節）容量的 CMOS 靜態內存芯片。該芯片具有如下幾個特點：

        l 高速。具有 45ns/55ns 訪問速度。

        l 低功耗。

        l TTL 電平兼容。

        l 全靜態操作。不需要刷新和時鐘電路。

        l 三態輸出。

        l 字節控制功能。支持高/低字節控制。

        看看實現 IS62WV51216 的訪問，需要對 FSMC進行哪些配置。 這里就做一個概括性的講解。步驟如下：

        1）使能 FSMC 時鐘，并配置 FSMC 相關的 IO 及其時鐘使能。

        要使用 FSMC，當然首先得開啟其時鐘。然后需要把 FSMC_D0~15，FSMCA0~18 等相關IO 口，全部配置為復用輸出，并使能各 IO 組的時鐘。

        使能 FSMC 時鐘的方法：

        RCC_AHBPeriphClockCmd(RCC_AHBPeriph_FSMC,ENABLE);

        對于其他 IO 口設置的方法前面講解很詳細，這里不做過多的講解。

        2）設置 FSMC BANK1 區域 3。

        此部分包括設置區域 3 的存儲器的工作模式、位寬和讀寫時序等。我們使用模式 A、16 位寬，讀寫共用一個時序寄存器。使用的函數是：

        void FSMC_NORSRAMInit(FSMC_NORSRAMInitTypeDef* FSMC_NORSRAMInitStruct)

        3）使能 BANK1 區域 3。

        使能 BANK 的方法跟前面 LCD 實驗也是一樣的，這里也不做詳細講解，函數是：

        void FSMC_NORSRAMCmd(uint32_t FSMC_Bank, FunctionalState NewState)；

        通過以上幾個步驟，我們就完成了 FSMC 的配置，可以訪問 IS62WV51216 了，這里還需要注意，因為我們使用的是 BANK1 的區域 3，所以 HADDR[27:26]=10，故外部內存的首地址為 0X68000000。