用柵極驅動器驅動MOS,MOS發熱嚴重,表面測量溫度達到90℃以上這種情況可以從哪些...

ID:668004 · 發表于 2023-12-3 15:13

用柵極驅動器驅動MOS,MOS發熱嚴重，表面測量溫度達到90℃以上。這種情況可以從哪些角度去改善？

RF+需要輸出1.7M 峰峰值200V的正弦波信號驅動壓電陶瓷換能器
1.從硬件的角度，MOS的驅動要考慮MOS的驅動電平、內阻、柵極電容、驅動波形是否陡峭？還可以從哪些角度進行改善？內阻和柵極電容是選型的問題。那驅動電平和驅動波形是電路設計的問題。這個MOS用5V方波驅動是沒有問題的吧！怎么使得驅動波形更接近方波而不會發生波形的失真呢？以上這些是否可以改善溫升的問題？

2.從嵌入式角度，柵極驅動器是經過DDS給信號的，DDS是經過MCU控制的，因此嵌入式可以從哪些角度進行溫升的改善？

3.從結構的角度，進行通風孔對流、散熱片導熱到外殼、加微型高速的風扇，或者加銅管、液冷？除了這些還可以進行怎樣的處理？

MOS規格書：

C114889.pdf (941.19 KB, 下載次數: 4)

ID:883242 · 發表于 2023-12-3 23:54

你先測一下柵極電壓波形，看看是驅動不足還是負載太重。

ID:267719 · 發表于 2023-12-4 09:05

1：硬件角度：
兩個柵極加下拉電阻，以防MOS管不能可靠關斷。
2：嵌入式角度：
確保軟件中DRIVER_H和DRIVER_L任意時刻不同時為高，否則24V通過2個MOS管對地短路。造成發熱嚴重現象。
3：結構角度：
兩個MOS管不要緊挨一起，不要讓發熱點過度集中。D極利用大面積敷銅增加散熱（雙面板的話，正反大面積敷銅加較密過孔增加散熱）。

ID:474386 · 發表于 2023-12-4 09:28

如果緊緊是散熱問題，PCB的散熱設計有注意到么？另外，還有其它利于散熱的封裝的，考慮下換個封裝？

ID:668004 · 發表于 2023-12-9 09:33

Hephaestus 發表于 2023-12-3 23:54
你先測一下柵極電壓波形，看看是驅動不足還是負載太重。

驅動不足還是負載太重---你好怎么根據波形判斷是驅動不足還是負載太重

ID:668004 · 發表于 2023-12-9 09:34

carpcarey 發表于 2023-12-4 09:05
1：硬件角度：
兩個柵極加下拉電阻，以防MOS管不能可靠關斷。
2：嵌入式角度：

非常感謝你的回復很專業謝謝

ID:668004 · 發表于 2023-12-9 09:35

zycman 發表于 2023-12-4 09:28
如果緊緊是散熱問題，PCB的散熱設計有注意到么？另外，還有其它利于散熱的封裝的，考慮下換個封裝？

有道理不過這種高頻的MOS 大功率的可能價格比較貴而且也不太好找

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用柵極驅動器驅動MOS,MOS發熱嚴重,表面測量溫度達到90℃以上這種情況可以從哪些...

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