單片機+DS18B20寫入一個字節數據程序的疑問

ID:673647 · 發表于 2023-3-2 12:51

DS18B20 的位讀寫時序，如圖：

當要給 DS18B20 寫入 0 的時候，單片機直接將引腳拉低，持續時間大于 60us 小于 120us
就可以了。圖上顯示的意思是，單片機先拉低 15us 之后，DS18B20 會在從 15us 到 60us 之間
的時間來讀取這一位，DS18B20 最早會在 15us 的時刻讀取，典型值是在 30us 的時刻讀取，
最多不會超過 60us，DS18B20 必然讀取完畢，所以持續時間超過 60us 即可。
當要給 DS18B20 寫入 1 的時候，單片機先將這個引腳拉低，拉低時間大于 1us，然后馬
上釋放總線，即拉高引腳，并且持續時間也要大于 60us。和寫 0 類似的是，DS18B20 會在
15us 到 60us 之間來讀取這個 1。

發送即寫入一個字節的數據程序如下。
void Write18B20(unsigned char dat)
{
unsigned char mask;

EA = 0; //禁止總中斷
for (mask=0x01; mask!=0; mask<<=1) //低位在先，依次移出 8 個 bit
{
IO_18B20 = 0; //產生 2us 低電平脈沖
_nop_();
_nop_();
if ((mask&dat) == 0) //輸出該 bit 值
IO_18B20 = 0;
else
IO_18B20 = 1;
DelayX10us(6); //延時 60us
IO_18B20 = 1; //拉高通信引腳
}
EA = 1; //重新使能總中斷
}

疑問：“單片機先拉低 15us 之后，DS18B20 會在從 15us 到 60us 之間
的時間來讀取這一位，DS18B20 最早會在 15us 的時刻讀取，典型值是在 30us 的時刻讀取，
最多不會超過 60us，DS18B20 必然讀取完畢，所以持續時間超過 60us 即可。”但程序沒有反映出15us后讀取0啊？按18B20要求，控制器寫“0“和“1”的時序都不一樣，但程序好像沒有分開來寫？

ID:353115 · 發表于 2023-3-2 14:51

沒看代碼，直接看你的疑問。你表述DS18B20會在某時間讀取一位，又表述程序沒有反映出15us后讀0，這明顯自相矛盾。DS18B20在什么時間讀MCU在線上發出的電平狀態，為何需要在程序上反映呢？DS18B20讀線上電平關MCU在線上發電平狀態什么事兒？MCU只需要干自己的事就好了

ID:673647 · 發表于 2023-3-2 15:05

本帖最后由 cwb2038 于 2023-3-3 09:29 編輯

qsssuv 發表于 2023-3-2 14:51
沒看代碼，直接看你的疑問。你表述DS18B20會在某時間讀取一位，又表述程序沒有反映出15us后讀0，這明顯自相 ...

這兩句話怎么理解？程序好像并沒有反應出來啊？
1、當要給 DS18B20 寫入 0 的時候，單片機直接將引腳拉低，持續時間大于 60us 小于 120us
就可以了。
2、當要給 DS18B20 寫入 1 的時候，單片機先將這個引腳拉低，拉低時間大于 1us，然后馬
上釋放總線，即拉高引腳，并且持續時間也要大于 60us。

ID:161164 · 發表于 2023-3-2 21:06

本帖最后由 lkc8210 于 2023-3-3 09:27 編輯

cwb2038 發表于 2023-3-2 15:05
這兩句話怎么理解？程序好像并沒有反應出來啊？
1、當要給 DS18B20 寫入 0 的時候，單片機直接將 ...

void Write18B20(unsigned char dat)
{
unsigned char mask;
EA = 0; //禁止總中斷
for (mask=0x01; mask!=0; mask<<=1) //低位在先，依次移出 8 個 bit
{
IO_18B20 = 0; //產生 2us 低電平脈沖
_nop_();
_nop_();
if ((mask&dat) == 0) //輸出該 bit 值
IO_18B20 = 0;//<<<<<<<<<<<1
else
IO_18B20 = 1;//<<<<<<<<<<<2
DelayX10us(6); //延時 60us
IO_18B20 = 1; //拉高通信引腳
}
EA = 1; //重新使能總中斷
}

復制代碼

ID:213173 · 發表于 2023-3-3 07:21

cwb2038 發表于 2023-3-2 15:05
這兩句話怎么理解？程序好像并沒有反應出來啊？
1、當要給 DS18B20 寫入 0 的時候，單片機直接將 ...

簡單的講，寫0就是一段持續60us~ 120us的低電平，寫1就是一個至少1us的低電平，隨后緊接著60us~ 120us的高電平。程序好像并沒有反應出來1us的低電平延時是因為CPU執行兩條語句的時間至少1us，不必單獨寫1us的低電平延時，如果加了一條_nop_();也無所謂。如果使用的高速單片機就要酌情加延時語句。

ID:673647 · 發表于 2023-3-3 09:30

wulin 發表于 2023-3-3 07:21
簡單的講，寫0就是一段持續60us~ 120us的低電平，寫1就是一個至少1us的低電平，隨后緊接著60us~ 120us的 ...

謝謝解答，有點理解了！

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單片機+DS18B20寫入一個字節數據程序的疑問

謝謝解答，有點理解了！