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編輯：ll ASE4N65SE-ASEMI高壓N溝道MOS管ASE4N65SE 型號：ASE4N65SE 品牌：ASEMI 封裝：TO-220F 最大漏源電流：4A 漏源擊穿電壓：650V RDS（ON）Max：2.5Ω 引腳數(shù)量：3 溝道類型：N溝道MOS管 芯片尺寸：MIL 漏電流： 恢復(fù)時間：5ns 芯片材質(zhì)： 封裝尺寸：如圖 特性：高壓MOS管、N溝道MOS管 工作結(jié)溫：-55℃~150℃ ASE4N65SE場效應(yīng)管 ASE4N65SE的電性參數(shù)：最大漏源電流4A；漏源擊穿電壓650V 特征： 低固有電容。 出色的開關(guān)特性。 擴展安全操作區(qū)域。 無與倫比的柵極電荷：Qg=75 nC（典型值）。 BVDSS=650V，Id=4A RDS（開）:2.5? （最大值）@VG=10V
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