開關電源的MOS管選型問題,決定MOS管開關頻率的有哪些參數(shù)

ID:709761 · 發(fā)表于 2022-9-9 08:04

MOS管的耐壓和電流怎么選,為什么IGBT的頻率沒有MOS管高，關鍵是什么參數(shù)造成的

ID:893997 · 發(fā)表于 2022-9-11 10:48

mos耐壓需要兩倍以上，電流按管子標的5分之1算。

ID:1007932 · 發(fā)表于 2022-9-11 21:57

IGBT有拖尾電流,聽說是因為IGBT導通時即有電子又有空穴參與導電，但空穴恢復比較慢，所以IGBT比較慢。
MOS可以看Qg的大小，柵極存儲的電荷越少開關速度越快。

ID:883242 · 發(fā)表于 2022-9-12 07:37

IGBT有存儲效應，從深飽和狀態(tài)恢復出來的時間很長，限制了最高開關頻率。

MOSFET的最高頻率是驅動電路無法克服Qg柵極電荷給限制住的，只要你能開發(fā)出足夠強大的柵極驅動，MOSFET的工作頻率是無限的，唯一能限制的物理極限只有光速。

ID:123289 · 發(fā)表于 2022-9-12 16:49

MOS管的耐壓和電流怎么選?
答：參照設計的要求，加個富裕度，查手冊，符合條件即選中。
為什么IGBT的頻率沒有MOS管高，
答：IGBT是集成的東東，MOS是單一的東東，多個東東就多個限制。
關鍵是什么參數(shù)造成的。
答：分布電容、元件電容是關鍵參數(shù)。

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