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關于MOS管驅動電機的問題

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樓主
本帖最后由 KingTheWorld 于 2022-3-26 19:43 編輯

如圖,MOS管用的是SI2301(P)和SI2302(N),當兩個IO口5V 時,一高一低沒什么問題,電機可以正反轉;但是IO口3.3V 時,這時候控制電機就會燒MOS管,哪位大佬分析一下



SI2301:


SI2302:





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9#
ID:491875 發表于 2022-3-27 09:33 | 只看該作者
要證實也不難,樓主只要將上管與下管交叉去掉一只,然后將2只MOS管的G極短接接3.3V電壓,此時,如果電機能夠正常運行就可以證實PMOS管不受控!
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8#
ID:491875 發表于 2022-3-27 09:28 | 只看該作者
2301的GS電壓-1.0V就導通了,-1.7V可能會飽和導通!如果I/O口3.3V,全橋5V供電可能會因為上MOS管2301不受控制而燒MOS管.
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7#
ID:491875 發表于 2022-3-27 08:39 | 只看該作者
baobao125 發表于 2022-3-27 06:29
PMOS沒徹底關斷就燒了。

分析的對!I/O口3.3V,MOS管供電5V,存在約1.7V的壓差,-1.7V的GS壓差可以使PMOS管不受控制部分導通或者飽和導通,造成與下管NMOS管處于共通狀態!全橋上下管同時導通短路,勢必造成MOS管過流損壞。
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6#
ID:960619 發表于 2022-3-27 06:29 來自觸屏版 | 只看該作者
PMOS沒徹底關斷就燒了。
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5#
ID:332444 發表于 2022-3-27 05:46 | 只看該作者
這種電路有缺陷,應該需要上下泄放電阻,導通電壓必須要達到飽和導通的電壓,因此驅動前必須考慮驅動電壓轉換,增加一級三極管串聯LED驅動就可以了。
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地板
ID:420836 發表于 2022-3-27 02:51 | 只看該作者
MOSFET晶體管被驅動到飽和區,導通電阻太大,導致MOSFET的功耗很高,最終由于熱應力而失效。
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板凳
ID:357396 發表于 2022-3-26 19:42 | 只看該作者
percy 發表于 2022-3-26 19:40
導通和截止不充分,造成半橋短路!

哈哈,其實我也這么覺的,就是不確定,謝謝
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沙發
ID:1006852 發表于 2022-3-26 19:40 | 只看該作者
導通和截止不充分,造成半橋短路!
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