低壓MOS代替三極管降低漏電流

ID:668004 · 發表于 2021-7-22 16:02

ID:332444 · 發表于 2021-7-22 16:58

用小電流三極管驅動場效應即可

ID:155507 · 發表于 2021-7-22 17:18

看看P通道FDN338P和N通道FDN337N。
它們具有典型的 0.7 - 0.8 伏的低 Vgs（這是你想要的 3.3V 邏輯）和低 RDS on。

ID:420836 · 發表于 2021-7-23 09:42

DMN2024U, Vth (min) = 0.5V, ID (max) = 5.5A, SOT23

ID:668004 · 發表于 2021-7-23 11:58

angmall 發表于 2021-7-22 17:18
看看P通道FDN338P和N通道FDN337N。
它們具有典型的 0.7 - 0.8 伏的低 Vgs（這是你想要的 3.3V 邏輯）和低 ...

這顆物料應該不便宜仙童的是嗎

ID:668004 · 發表于 2021-7-23 11:58

TTQ001 發表于 2021-7-23 09:42
DMN2024U, Vth (min) = 0.5V, ID (max) = 5.5A, SOT23

這顆物料是國產的嗎

ID:668004 · 發表于 2021-7-23 13:41

xianfajushi 發表于 2021-7-22 16:58
用小電流三極管驅動場效應即可

你的意思MCU驅動三極管然后三極管驅動MOS嗎？

ID:491875 · 發表于 2021-7-24 18:17

SI2306典型VGS(TH)為0.76V，價廉物美。易購

ID:332444 · 發表于 2021-7-25 18:31

QWE4562012 發表于 2021-7-23 13:41
你的意思MCU驅動三極管然后三極管驅動MOS嗎？

電路形式多樣，都可以靈活設計，還有光耦等。

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