在藍(lán)寶石襯底上外延生長的氮化鎵（GaN）為原材料,可以通過華林科納研制的濕法清洗設(shè)備進(jìn)行光電化學(xué)濕法刻蝕、光化學(xué)濕法刻蝕、小球模板法刻蝕以及烘干、旋涂、提拉、蒸鍍、沉積等半導(dǎo)體材料的工藝方法,初步實(shí)現(xiàn)了圖形化可控刻蝕GaN的目的,并利用III-V族半導(dǎo)體的優(yōu)勢實(shí)現(xiàn)光致發(fā)光、光電流響應(yīng)和表面增強(qiáng)拉曼散射等應(yīng)用。