編輯:LL ASEMI低壓MOS管 A09T/ 3400 30V的N道MOS管 型號(hào):A09T / 3400 封裝:SOT-23 漏極電流(VDS):5.8A 漏源電壓(ID):30V 工作溫度:-55℃~150℃ 封裝形式:貼片 種類:場(chǎng)效應(yīng)晶體管(MOSFET/MOS管) 品牌:ASEMI 在對(duì)稱的MOS管中,對(duì)source和drain的標(biāo)注有一點(diǎn)任意性。定義上,載流子流出source,流入drain。因此Source和drain的身份就靠器件的偏置來決定了。有時(shí)晶體管上的偏置電壓是不定的,兩個(gè)引線端就會(huì)互相對(duì)換角色。這種情況下,電路設(shè)計(jì)師必須認(rèn)定一個(gè)是drain另一個(gè)是source。
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ASEMI低壓MOS管 A29T/ 3402 N道MOS管 30V 型號(hào):A29T / 3402 封裝:SOT-23 漏極電流(VDS):4A 漏源電壓(ID):30V 工作溫度:-55℃~150℃ 封裝形式:貼片 種類:場(chǎng)效應(yīng)晶體管(MOSFET/MOS管) 品牌:ASEMI 晶體管有N型channel所有它稱為N-channel MOS管,或NMOS。P-channel MOS(PMOS)管也存在,是一個(gè)由輕摻雜的N型BACKGATE和P型source和drain組成的PMOS管。
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