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電磁場(chǎng)實(shí)驗(yàn)靜電場(chǎng)邊值問(wèn)題研究

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ID:764061 發(fā)表于 2020-7-13 11:37 | 只看該作者 回帖獎(jiǎng)勵(lì) |倒序?yàn)g覽 |閱讀模式
  • 實(shí)驗(yàn)?zāi)康模?/font>
    • 通過(guò)虛擬仿真,觀察平行板電容器與加蓋導(dǎo)體槽內(nèi)部的電場(chǎng)分布。
    • 學(xué)習(xí)用模擬法測(cè)量靜電場(chǎng)的方法。
    • 了解影響實(shí)驗(yàn)精度的因素。
  • 實(shí)驗(yàn)裝置

被測(cè)模型有兩個(gè):一個(gè)用來(lái)模擬無(wú)邊緣效應(yīng)的平行板電容器中的電位分布;另一個(gè)用來(lái)模擬有金屬蓋的無(wú)限長(zhǎng)接地槽形導(dǎo)體內(nèi)電位分布。被模擬的平行板電容器,加蓋槽形導(dǎo)體及它們對(duì)應(yīng)的模型如圖1所示。

   

圖1

被測(cè)模型是在碳素導(dǎo)電紙上按所需的幾何形狀,尺寸制成如圖1所示的金屬“電極”。為保證各被測(cè)點(diǎn)位置,采用“網(wǎng)格板”來(lái)定位。該“網(wǎng)格板”是用透明塑料薄板,板上沿X、Y坐標(biāo)軸每一厘米打一個(gè)小孔,這樣就形成了一個(gè)正方形網(wǎng)格陣。

  • 實(shí)驗(yàn)原理:

對(duì)于復(fù)雜邊界的靜電場(chǎng)邊值問(wèn)題,用解析法求解很困難,甚至是不可能的。在實(shí)際求解過(guò)程中,直接求出靜電場(chǎng)的分布或電位又很困難,其精度也難以保證。本實(shí)驗(yàn)根據(jù)靜電場(chǎng)與恒定電流場(chǎng)的相似性,用碳素導(dǎo)電紙中形成的恒定電流場(chǎng)來(lái)模擬無(wú)源區(qū)域的二維靜電場(chǎng),從而測(cè)出邊界比較復(fù)雜的無(wú)源區(qū)域靜電場(chǎng)分布。

在靜電場(chǎng)的無(wú)源區(qū)域中,電場(chǎng)強(qiáng)度電位移矢量及電位滿足下列方程:

                            \* MERGEFORMAT (1)

式中為靜電場(chǎng)的介電常數(shù)。

在恒定電流場(chǎng)中,電場(chǎng)強(qiáng)度、電流密度及電位滿足下列方程:

                            \* MERGEFORMAT (2)

式中為恒定電流場(chǎng)中導(dǎo)電媒質(zhì)的電導(dǎo)率。

因?yàn)榉匠探M(1)與方程組(2)在形式上完全相似,所以(靜電場(chǎng)中的電位分布函數(shù))與(恒定電流場(chǎng)中的電位分布函數(shù))應(yīng)滿足同樣形式的微分方程。由方程組(1)和方程組(2)很容易求得:

                            \* MERGEFORMAT (3)

                            \* MERGEFORMAT (4)

式中處于相應(yīng)的位置,它們?yōu)閷?duì)偶量。

在所討論區(qū)域?yàn)榫鶆蚍植迹雌渲蹬c坐標(biāo)無(wú)關(guān)),則方程(3)、(4)均可簡(jiǎn)化為拉普拉斯方程:

                            \* MERGEFORMAT (1.5)

                            \* MERGEFORMAT (1.6)

電位場(chǎng)解的唯一定理可知:滿足相同微分方程的兩個(gè)電位場(chǎng),它們具有相同的邊界電位值,因此,在保證邊界電位值不變的情況下,我們可以用恒定電流場(chǎng)的模型來(lái)模擬無(wú)源區(qū)域的靜電場(chǎng),當(dāng)靜電場(chǎng)中媒質(zhì)為均勻媒質(zhì)時(shí),其導(dǎo)電媒質(zhì)也應(yīng)為均勻媒質(zhì),這樣測(cè)得的恒定電流場(chǎng)的電位分布就是被模擬的靜電場(chǎng)的電位分布,不需要任何改動(dòng)。

  • 實(shí)驗(yàn)內(nèi)容:

Part A 虛擬仿真平行板電容器與加蓋導(dǎo)體槽內(nèi)的電位分布

使用Matlab或其它編程語(yǔ)言,編寫程序,對(duì)被測(cè)模型的電位分布進(jìn)行仿真。



    • 自選仿真軟件,自行設(shè)定參數(shù),建立模型,對(duì)平行板電容器的電位分布進(jìn)行虛擬仿真,觀察平行板電容器的電位分布趨勢(shì),并將仿真結(jié)果圖記錄到實(shí)驗(yàn)報(bào)告。
    • 自選仿真軟件,自行設(shè)定參數(shù),建立模型,對(duì)加蓋導(dǎo)體槽內(nèi)部的電位分布進(jìn)行虛擬仿真,觀察加蓋導(dǎo)體槽內(nèi)部的電位分布趨勢(shì),并將仿真結(jié)果圖記錄到實(shí)驗(yàn)報(bào)告。
    • 將程序代碼及相應(yīng)的說(shuō)明文字和圖形附到實(shí)驗(yàn)報(bào)告的附錄中,不夠可附頁(yè)?梢允褂肕atlab的pdetool工具箱,利用其圖形化界面進(jìn)行簡(jiǎn)單設(shè)置即可實(shí)現(xiàn)建模仿真,請(qǐng)將其設(shè)置參數(shù)截圖與步驟說(shuō)明記錄到附錄中。
  • 實(shí)驗(yàn)數(shù)據(jù):

Part A 虛擬仿真平行板電容器與加蓋導(dǎo)體槽內(nèi)的電位分布

  • 平行板電容器的電位分布仿真圖

設(shè)兩個(gè)平行板放在,的環(huán)境中,導(dǎo)體板厚度為0.1,間距為1,長(zhǎng)度為1,左側(cè)導(dǎo)體板的電位為10V,右側(cè)導(dǎo)體板的電位為-10V,無(wú)限遠(yuǎn)處空間電位為0V,初始條件滿足狄利克雷條件。電位分布的仿真結(jié)果如下:

由仿真結(jié)果可以看到,導(dǎo)體板間的電場(chǎng)強(qiáng)度可近似看作勻強(qiáng)電場(chǎng),電位分布也可以近似為從左向右均勻下降。

  • 加蓋導(dǎo)體槽內(nèi)的電位分布仿真圖

設(shè)加蓋導(dǎo)體槽放在的環(huán)境中,蓋板和槽壁的厚度均為0.1,蓋板的寬度為1,導(dǎo)體槽的寬度為1,深度為1。初始條件為:蓋板電位10V,導(dǎo)體槽接地,空間無(wú)限遠(yuǎn)處電位0V,滿足狄利克雷條件。電位分布的仿真結(jié)果如下:

從仿真結(jié)果可以看到,等位線密度由槽底中央向槽壁和蓋板連接處逐漸變密。


附錄:

請(qǐng)?jiān)诖颂幐缴咸摂M仿真程序代碼及其他需要附錄的文字說(shuō)明或圖,可附頁(yè)。

一.

>>pdetool

1.畫(huà)兩個(gè)平行板:R1 R2和介質(zhì) R3:

  • 設(shè)置R1R2R3的參數(shù):如下圖所示:

  • 將函數(shù)方程改為R3-R1-R2:

  • 將所求類型改為:

  • 點(diǎn)擊boundary,設(shè)置邊界條件:

介質(zhì)邊界為0,左邊電極板為10v,右面電極板為-10v:

  • 設(shè)置PDE 介質(zhì)參數(shù):epsilon=1;rho=0:

  • 點(diǎn)擊Plot畫(huà)圖:

勾選contour和Arrows:


  • pdetool   打開(kāi)界面
  • 畫(huà)加蓋導(dǎo)體槽:R1 R2 R3 R4 ,R4 是蓋, 畫(huà)介質(zhì)R5:

3.設(shè)置參數(shù):

4.函數(shù)方程改為:

5. 將所求類型改為:

6.設(shè)置邊界值:其中R1 R2 R3 電位為0;R4 為10v  無(wú)窮遠(yuǎn)為0v:

7.設(shè)置 介質(zhì)參數(shù):

8.畫(huà)圖:


完整的Word格式文檔51黑下載地址:

靜電場(chǎng)邊值問(wèn)題研究實(shí)驗(yàn).docx (786.33 KB, 下載次數(shù): 3)



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