電阻和MOS串聯(lián)再和另一個(gè)電阻并聯(lián)問(wèn)題

ID:668004 · 發(fā)表于 2020-5-15 10:24

ID:475957 · 發(fā)表于 2020-5-15 12:05

電源電壓太低了，更低的電源電壓，并聯(lián)后的電阻還會(huì)更大。你將電源電壓調(diào)節(jié)到2.5V以上，R3也不應(yīng)該接地，應(yīng)該串到Q1 G腳到S1的路上，為了Q1可靠關(guān)閉，還應(yīng)該增加一個(gè)電阻從電源到Q1 G腳。

ID:213173 · 發(fā)表于 2020-5-15 14:00

R2改接到Q1的D端，Q1飽和導(dǎo)通內(nèi)阻可以忽略不計(jì)，但V1電壓太低，達(dá)不到MOS管導(dǎo)通的閾值電壓，Q1處于截止?fàn)顟B(tài)。

ID:668004 · 發(fā)表于 2020-5-15 17:16

dianzi1987 發(fā)表于 2020-5-15 12:05
電源電壓太低了，更低的電源電壓，并聯(lián)后的電阻還會(huì)更大。你將電源電壓調(diào)節(jié)到2.5V以上，R3也不應(yīng)該接地，應(yīng) ...

我寫(xiě)錯(cuò)了上拉那個(gè)電阻連接到的是IO口3V

ID:668004 · 發(fā)表于 2020-5-15 17:17

dianzi1987 發(fā)表于 2020-5-15 12:05
電源電壓太低了，更低的電源電壓，并聯(lián)后的電阻還會(huì)更大。你將電源電壓調(diào)節(jié)到2.5V以上，R3也不應(yīng)該接地，應(yīng) ...

R3哪里接地了？

ID:668004 · 發(fā)表于 2020-5-15 18:00

dianzi1987 發(fā)表于 2020-5-15 12:05
電源電壓太低了，更低的電源電壓，并聯(lián)后的電阻還會(huì)更大。你將電源電壓調(diào)節(jié)到2.5V以上，R3也不應(yīng)該接地，應(yīng) ...

這是PMOS 低導(dǎo)通啊和0.4V沒(méi)關(guān)系的啊差點(diǎn)忘了

ID:160500 · 發(fā)表于 2020-5-15 18:56

沒(méi)有達(dá)到PMOS管的開(kāi)啟電壓

ID:420836 · 發(fā)表于 2020-5-16 08:13

如果想將MOSFET用作開(kāi)關(guān), 應(yīng)使工作在飽和區(qū)域，以便在導(dǎo)通時(shí)看起來(lái)像一根導(dǎo)線。但是，電壓源太低，MOSFET的漏源電壓不夠大，無(wú)法使MOSFET在其飽和區(qū)域工作。在你這種情況下，MOSFET溝道的電阻非常高，因此不能將其視為導(dǎo)線，而應(yīng)視為電阻。

ID:668004 · 發(fā)表于 2020-5-18 18:16

wulin 發(fā)表于 2020-5-15 14:00
R2改接到Q1的D端，Q1飽和導(dǎo)通內(nèi)阻可以忽略不計(jì)，但V1電壓太低，達(dá)不到MOS管導(dǎo)通的閾值電壓，Q1處于截止?fàn)顟B(tài) ...

用N管呢

ID:668004 · 發(fā)表于 2020-5-18 18:17

TTQ001 發(fā)表于 2020-5-16 08:13
如果想將MOSFET用作開(kāi)關(guān), 應(yīng)使工作在飽和區(qū)域，以便在導(dǎo)通時(shí)看起來(lái)像一根導(dǎo)線。但是，電壓源太低，MOSFET ...

漏源？應(yīng)該是VGS的電壓吧

ID:668004 · 發(fā)表于 2020-5-19 15:07

wulin 發(fā)表于 2020-5-15 14:00
R2改接到Q1的D端，Q1飽和導(dǎo)通內(nèi)阻可以忽略不計(jì)，但V1電壓太低，達(dá)不到MOS管導(dǎo)通的閾值電壓，Q1處于截止?fàn)顟B(tài) ...

VGS電壓太低是嗎？低壓的MOS也是有的-0.2V可以導(dǎo)通的也是有的只是很貴不過(guò)改成N管有新的問(wèn)題。如果是這樣導(dǎo)通電壓不需要考慮不過(guò)增加了新的問(wèn)題 G點(diǎn)電壓可能會(huì)影響到S端從而影響到運(yùn)放的輸出（G點(diǎn)電壓會(huì)不會(huì)影響到S點(diǎn)電壓？）。S極接在運(yùn)放輸出端。反饋電阻是跨接在運(yùn)放的反相端和輸出端

ID:668004 · 發(fā)表于 2020-5-19 15:08

TTQ001 發(fā)表于 2020-5-16 08:13
如果想將MOSFET用作開(kāi)關(guān), 應(yīng)使工作在飽和區(qū)域，以便在導(dǎo)通時(shí)看起來(lái)像一根導(dǎo)線。但是，電壓源太低，MOSFET ...

VDS要越小越好啊！

ID:668004 · 發(fā)表于 2020-5-19 15:09

VGS電壓太低是嗎？低壓的MOS也是有的-0.2V可以導(dǎo)通的也是有的只是很貴不過(guò)改成N管有新的問(wèn)題。如果是這樣導(dǎo)通電壓不需要考慮不過(guò)增加了新的問(wèn)題 G點(diǎn)電壓可能會(huì)影響到S端從而影響到運(yùn)放的輸出（G點(diǎn)電壓會(huì)不會(huì)影響到S點(diǎn)電壓？）。S極接在運(yùn)放輸出端。反饋電阻是跨接在運(yùn)放的反相端和輸出端

ID:668004 · 發(fā)表于 2020-5-19 15:10

wulin 發(fā)表于 2020-5-15 14:00
R2改接到Q1的D端，Q1飽和導(dǎo)通內(nèi)阻可以忽略不計(jì)，但V1電壓太低，達(dá)不到MOS管導(dǎo)通的閾值電壓，Q1處于截止?fàn)顟B(tài) ...

VGS電壓太低是嗎？低壓的MOS也是有的-0.2V可以導(dǎo)通的也是有的只是很貴不過(guò)改成N管有新的問(wèn)題。如果是這樣導(dǎo)通電壓不需要考慮不過(guò)增加了新的問(wèn)題 G點(diǎn)電壓可能會(huì)影響到S端從而影響到運(yùn)放的輸出（G點(diǎn)電壓會(huì)不會(huì)影響到S點(diǎn)電壓？）。S極接在運(yùn)放輸出端。反饋電阻是跨接在運(yùn)放的反相端和輸出端

ID:213173 · 發(fā)表于 2020-5-19 17:01

QWE4562012 發(fā)表于 2020-5-19 15:10
VGS電壓太低是嗎？低壓的MOS也是有的-0.2V可以導(dǎo)通的也是有的只是很貴不過(guò)改成N管有新的問(wèn)題。如果是 ...

沒(méi)見(jiàn)過(guò)-0.2V閾值電壓的PMOS管。可能在超大規(guī)模IC里有，分立件MOS管最低也在1V左右。

ID:668004 · 發(fā)表于 2020-5-20 12:05

wulin 發(fā)表于 2020-5-19 17:01
沒(méi)見(jiàn)過(guò)-0.2V閾值電壓的PMOS管。可能在超大規(guī)模IC里有，分立件MOS管最低也在1V左右。

有-0.2V的不過(guò)比較貴 AO牌子的

ID:160500 · 發(fā)表于 2020-5-29 13:12

看你這個(gè)圖就知道你沒(méi)有明白Vgs的意思，它是指源柵之間的電壓

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電阻和MOS串聯(lián)再和另一個(gè)電阻并聯(lián)問(wèn)題

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