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像2301那種mos導通后,VDS電壓是0嗎?也就是沒有損耗?仿真是沒有損耗的

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樓主
ID:668004 發表于 2020-4-16 15:45 | 只看該作者 回帖獎勵 |倒序瀏覽 |閱讀模式
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沙發
ID:612392 發表于 2020-4-16 16:14 | 只看該作者
怎么可能沒有損耗,都有導通內阻的,規格書上會定義。
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板凳
ID:730718 發表于 2020-4-16 17:00 | 只看該作者
mos的導通損耗和通過的電流和mos的內阻有關,可以自己計算下
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地板
ID:692132 發表于 2020-4-16 17:36 來自觸屏版 | 只看該作者
仿真是理想狀態,琛想和現實的差別有些時候還很大
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5#
ID:10947 發表于 2020-4-16 18:12 | 只看該作者
導通后,DS之間相當于是個小電阻,具體有多小,看規格書,有毫歐級的,也有歐姆級的。
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6#
ID:213173 發表于 2020-4-17 08:51 | 只看該作者
新型MOS管的飽和導通內阻在幾毫歐到幾十毫歐,做低頻開關其損耗很小。但用于高頻就不同了,隨頻率升高損耗也增大。
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7#
ID:213173 發表于 2020-4-17 08:52 | 只看該作者
新型MOS管的飽和導通內阻在幾毫歐到幾十毫歐,做低頻開關其損耗很小。但用于高頻就不同了,隨頻率升高損耗也增大。
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