有很多朋友分不清Nand Flash、Nor Flash的不同，也搞不懂SLC、MLC、Parallel NOR Flash等究竟是什么意思，今天宏旺半導體就跟大家系統(tǒng)地梳理一下這些名詞分別指什么，它們又有什么不同。

在了解這些之前，首先要了解什么是 Flash Memory。Flash Memory就是快閃存儲器，即通常說的閃存，是一種非易失性存儲器，斷電數(shù)據(jù)也不會丟失。宏旺半導體了解到，根據(jù)硬件上存儲原理的不同，F(xiàn)lash Memory 主要可以分為 NOR Flash 和NAND Flash 兩類：

Nor FLASH使用方便，易于連接，可以在芯片上直接運行代碼，穩(wěn)定性出色，傳輸速率高，在小容量時有很高的性價比，很適合應用于嵌入式系統(tǒng)中作為 FLASH ROM。

相對于Nor FLASH，Nand FLASH強調更高的性能，更低的成本，更小的體積，更長的使用壽命。這使Nand FLASH很擅于存儲純資料或數(shù)據(jù)等，在嵌入式系統(tǒng)中用來支持文件系統(tǒng)。目前，絕大部分手機和平板等移動設備中所使用的 eMMC 內部的 Flash Memory ，都屬于 NAND Flash。PC 中的固態(tài)硬盤中也是使用 NAND Flash。

NAND Flash根據(jù)存儲方式可分為四種：SLC、MLC、TLC、QLC。SLC（Single-Level Cell ）單層式存儲，即1bit/cell，存儲密度最低、寫入數(shù)據(jù)時電壓變化區(qū)間小，壽命最長約10萬次擦寫壽命，穩(wěn)定性最好，多數(shù)應用高端企業(yè)級產品。

MLC（Multi-Level Cell）閃存，即2bit/cell，多層式存儲，雙層存儲電子結構，存儲密度高于SLC，壽命在3000-5000次，應用民用中高端SSD上。

TLC（Trinary-Level Cell）閃存，即3bit/cell，是目前最流行的閃存芯片，存儲密度是MLC的1.5倍，成本更低，使用壽命也更短，在1000-1500次，但穩(wěn)定性比較差。

QLC(Quad-Level Cel),每單元可存儲4比特數(shù)據(jù)(4bits/cell)，性能、壽命進一步變差，只能經受1000次編程/擦寫循環(huán)，但是容量進一步提升，成本也繼續(xù)降低。

宏旺半導體稍稍總結一下，簡單來說，這四類當中，SLC的性能最優(yōu)，價格超高，一般用作企業(yè)級或高端發(fā)燒友；MLC性能夠用，價格適中為消費級SSD應用主流；TLC綜合性能最低，價格最便宜，但可以通過高性能主控、主控算法來彌補、提高TLC閃存的性能；QLC出現(xiàn)的時間很早，價格便宜，容量大。

SLC是企業(yè)級服務器用的，MLC已經逐漸退出市場，目前TLC是普通用戶主流存儲顆粒。宏旺半導體也有SLC顆粒高性能存儲產品，有需要可以來找宏旺聊聊。

根據(jù)與CPU 端接口的不同，NOR Flash可以分為Parallel NOR Flash 和 Serial NOR Flash 兩類。Parallel NOR Flash 可以接入到 Host 的 SRAM/DRAM Controller 上，所存儲的內容可以直接映射到 CPU 地址空間，不需要拷貝到 RAM 中即可被 CPU 訪問，因而支持片上執(zhí)行。Serial NOR Flash 的成本比 Parallel NOR Flash 低，主要通過 SPI 接口與 Host 連接。

相信通過上述的分享，大家應該對這些名詞有了一定的了解。宏旺半導體ICMAX后期會給大家?guī)�來更多與存儲行業(yè)相關的文章，有什么不明白的歡迎留言私信，一定要記得關注宏旺半導體哦！