場效應晶體管(FET)簡稱場效應管，利用控制輸入回路的電場效應來控制輸出回路電流的一種半導體器件。有結型場效應三極管JFET和絕緣柵型場效應三極管IGFET之分。1960年Dawan Kahng發明了金屬氧化物半導體場效應晶體管，從而大部分代替了JFET。而目前大家聽的最多的MOSFET其實就是IGFET。南電森美為北京南電科技分公司，經營產品種類繁多，二三極管、整流橋、集成電路、MOS管以絕緣材料等均可提供，下面就由小編告訴大家場效應管常用型號及相關參數。
74HC595
74HC595是硅結構的CMOS器件，兼容低電壓TTL電路，具有速度快、功耗小、操作簡單的特點。595具有8位移位寄存器和一個存儲器，三態輸出功能。8位串行/串行或并行輸出移位寄存器，在電子顯示屏制作中有廣泛的應用。三態分別為高阻、關、斷狀態。
2N7002
2N7002為N溝道增強型場效應晶體管，漏極電流Id 最大值為280mA，電壓,Vds 最大為60V。
IR2113
IR2113由低端功率晶體管驅動級、高端功率晶體管驅動級、電平轉換器、輸入邏輯電路組成。它把驅動一高壓側和一低壓側MOSFET或IGBT所需要的絕大部分功能集成在芯片內。 可以根據自舉原理工作或加一浮動電源，外圍電路簡單。
2SK1336
2SK1336N溝道場效應管，為高速電源開關管，具有低導通電阻，適用于電機驅動及DC-DC控制。
IRC540
IRC540為N溝道MOSFET，導通電流為28A ，Vdss為100V ，導通電阻為0.077Ω，具有快速開關、驅動簡單等特點。
AO3400
AO3400為N溝道增強型的MOSFET，主要用于高密度電池設計，適用于超低導通電阻。
IRF3710
IRF3710為N型場效應管。IRF3710的HEXFET功率場效應管采用先進的工藝技術制造，具有極低的導通阻抗。IRF3710這種特性，加上快速的轉換速率，和以堅固耐用著稱的HEXFET設計，使得IRF3710成為極其高效可靠、應用范圍超廣的器件。漏極電流Id最大值為59A，電壓Vds最大為100V。
南電科技從事電子元器件代理分銷與制造，這些常用型號都是有現貨庫存的，而且保證原裝正品，主推KEC、HTC-KOREA、MAPLESEMI、ON、COMONN等品牌，如果有需要，可以聯系我們。
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