|
|
模電第一張的總結(jié)。
詳細(xì)的散知識點
本征半導(dǎo)體（導(dǎo)電性能差，溫度穩(wěn)定性差）
雜質(zhì)半導(dǎo)體 （導(dǎo)電性能由摻雜濃度人為可控）
N型（自由電子）P型（空穴）半導(dǎo)體，載流子的有序運動（擴散與漂移）
PN結(jié)的單向?qū)щ娦裕聪驌舸┨匦裕ǜ邠诫s時齊納擊穿，低摻雜時雪崩擊穿），溫度特性（正向電流具有正溫度系數(shù)，正向壓降具有負(fù)溫度系數(shù)，由正向勢壘高度降低導(dǎo)致，反向電流具有正溫度系數(shù)，由少子濃度增大導(dǎo)致），電容效應(yīng)（勢壘電容與擴散電容（正向電壓），高頻）電流方程（i=Is(equ/kT -1),其中q/kT=UT≈26mV（300K溫度））
半導(dǎo)體二極管（PN結(jié)封裝并引出電極，主要參數(shù)（最大整流電流IF(有效值),最高反向工作電壓UR(瞬時值)，反向電流IR，最高工作頻率fM(結(jié)電容)）三種等效電路（理想二極管（指數(shù)關(guān)系），常用模型（U=UOn）,精確模型（線性關(guān)系）），穩(wěn)壓二極管（反向擊穿特性），發(fā)光二極管，光電二極管）
晶體三極管（截止區(qū)，放大區(qū)，飽和區(qū)。基極電流分流損失小信號，發(fā)射結(jié)正向偏置，集電極反向偏置時具有電流放大作用，發(fā)射區(qū)多子的擴散運動形成IE，基區(qū)非平衡少子與多子的復(fù)合運動形成基極電流IB，集電結(jié)少子的漂移運動形成Ic，共射特性曲線（輸入特性曲線（隨集射電壓UCE的增大而右移），輸出特性曲線），主要參數(shù)（β（共射電流放大倍數(shù)），α（共基電流放大倍數(shù)），ICBO與ICEO（極間反向電流），ICM（最大集電極電流），U（BR）CEO（極間反向擊穿電壓），PCM（最大集電極耗散功率），fT（特征頻率，共射電流放大系數(shù)下降到一）））
場效應(yīng)管（夾斷區(qū)，恒流區(qū)，可變電阻區(qū)，擊穿區(qū)。結(jié)型與絕緣柵型，利用柵源之間外加的電壓所產(chǎn)生的電場來改變導(dǎo)電溝道的寬窄從而控制多子漂移運動所產(chǎn)生的漏極電流iD，主要參數(shù)（gm（低頻跨導(dǎo)表示uGS對iD控制作用的強弱，gm=ΔⅈD/(ΔU_Gs )|Uds=常數(shù)），UGS（th）（增強型MOS管的開啟電壓），UGS（off）（結(jié)型場效應(yīng)管和耗盡型MOS管的夾斷電壓），IDSS（對于結(jié)型場效應(yīng)管在UGS=0時產(chǎn)生預(yù)夾斷時的飽和漏極電流），IDM（最大漏極電流），U（BR）DS（恒流區(qū)漏源擊穿電壓，對于結(jié)型場效應(yīng)管使柵極與溝道間的PN結(jié)反向擊穿的uGS為柵源擊穿電壓，對于絕緣柵型場效應(yīng)管使絕緣層擊穿的uGS為柵源擊穿電壓），PDM（最大耗散功率），極間電容）電流方程(結(jié)型場效應(yīng)管(iD=IDSS(1-u_Gs/u_Gs(off) ))絕緣柵型場效應(yīng)管(iD=IDO(u_GS/(⋃_Gs▒(th) ) -1)[IDO為uGS=2UGS(th)時的iD]))）
VMOS管（散熱性能好，可制成大功率管）
完整的Word格式文檔51黑下載地址：
模電第一章.docx
(45.64 KB, 下載次數(shù): 7)
2018-7-11 10:22 上傳
點擊文件名下載附件
|
|
