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傳統(tǒng)的低壓大電流的一代硅MOS相比有哪些優(yōu)缺點(diǎn)和異同點(diǎn)？

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QWE4562012

發(fā)布時(shí)間: 2025-1-11 11:36

正文摘要:

1.封裝小，內(nèi)阻低，結(jié)溫高，熱阻小，結(jié)電容小、Id大，vth小的，這種傳統(tǒng)的低壓大電流的一代半導(dǎo)體硅MOS和三代半導(dǎo)體氮化鎵GAN相比有哪些優(yōu)缺點(diǎn)和異同點(diǎn)？(比如耐壓60V以上，封裝小，內(nèi)阻低，熱阻低、結(jié)電容小、結(jié)溫 ...

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