Q10的GS電容不但會增大開關(guān)損耗，對開關(guān)速度也影響很大，100k下拉 電容大了關(guān)不死都有可能，串0Ω電阻不合適，可能會導(dǎo)致自激，R22與R19分壓得4.5v即可2.5v也行，R13的存在，DS之間并沒有多大電流，Q10不用去考慮導(dǎo)通內(nèi)阻。Q777的GS電容，由于R13的存在  此電容并沒有什么用，要去掉，會有副作用。當(dāng)Q777導(dǎo)通那一瞬間，R11與R12分壓得S＞G12v，它已經(jīng)是完全導(dǎo)通，內(nèi)阻很小。給C5充電的涌電流 mos是可以承受的，它不能承受的是電壓，電壓高了就是瞬間擊穿。實在不放心你可以在D極和C5之間串個電阻，計算負載功率之后決定這個電阻大小，總的一句話，場效應(yīng)管的GS之間 打死不要去并電容。

Q10的GS電容不止會增大開關(guān)損耗，對開關(guān)的速度也影響很大，100k的下拉 電容大了 關(guān)不死都有可能。

可以這么做，我們以前做主板都是用這種電路。
我記得這個電容當(dāng)時加的好像有10nF那么大。

你這個C5大電容放在前面就不會有這個問題了，濾波效果一樣的呀。

用程序在IO2上做文章。

mos管在沒有完全導(dǎo)通的情況下，導(dǎo)通電阻值很大，在大電流下要發(fā)熱的。應(yīng)該在24V主回路想辦法，如串適當(dāng)限流電阻，在適當(dāng)時機用繼電器短掉，如果主MOS管不怕熱，就隨意了。

2000uf不蒜太大，你前面并了電容，導(dǎo)通時一樣發(fā)熱的。還不如不加，因為導(dǎo)通時MOS的內(nèi)阻才幾毫歐。