C8給單相可控硅提供一個(gè)穩(wěn)定的觸發(fā)電壓（電容儲(chǔ)能端電壓供給可控硅G極），電容的充電時(shí)間長短可以控制可控硅導(dǎo)通角度（假設(shè)有可調(diào)電阻串聯(lián)在電容充電回路中，那么調(diào)整可調(diào)電阻則響應(yīng)改變電容充電時(shí)間，電容端電壓達(dá)到可控硅閾值，則可控硅導(dǎo)通），R3是給C8放電用的。R4，R6，R9是串聯(lián)分壓同時(shí)限制電流用的，限電流大小參考穩(wěn)壓管ZD1的最大穩(wěn)壓電流來確定，以保障穩(wěn)壓管能夠承受不被擊穿。其中R4與R6可以看做一個(gè)電阻與R9串聯(lián)，串聯(lián)阻值比例則根據(jù)穩(wěn)壓管穩(wěn)壓值來確定分壓值。穩(wěn)壓穩(wěn)壓管是保障三極管不被擊穿，8050三極管的Vbe額定值是6V。

主要是限流作用，之所以用到三個(gè)可能與封裝有關(guān)防止爬電，至于擊穿這事如果電路設(shè)計(jì)合理導(dǎo)線連接無誤那是沒問題的

你這個(gè)應(yīng)該算是 過零檢測電路  我建議你用我這個(gè)電路
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