個人對mos管也沒有很深的理解，這里就說下個人認知吧，mos管不同于三極管，三極管屬于電流放大器件。mos管屬于電壓控制開關器件，mos管在導通狀態時具有導通內阻，一般都是mΩ級別的，有電阻就有功耗，最上面圖有幾個是反應導通內阻與各種狀態下電壓電流的關系圖，事實上用歐姆定律就可以解析，還有那是Vgs與Id的關系圖，表示閾值電壓與導通電流，內阻的關系。圖中看 6.5V以上是合適的驅動電壓。
關于mos管動態特性中，還是要了解一下mos管構造，這里去百度就可以查到，在這里就不細說了，這里就說下結電容，實際驅動mos管，即給G級加上電壓的時候 ，由于結電容存在，在一瞬間實際上是對地短路，而后結電容兩端電壓逐漸上升，直到達到驅動電壓，在這個過程中單位時間內輸出電荷越多，或者說驅動電路提供的驅動電流越大，電容電壓上升的就快，驅動電路輸出電流越小，就越慢，在低頻中，這并不明顯，但在高頻電路中這是一個不可忽視的問題，由于驅動電路的驅動功率小，導致mos管并不能可靠導通截止從而造成炸管，尤其是在大功率無刷驅動電路中。這只是充電導通過程，而截止過程也類似，驅動電路輸出低電平，此時結電容向驅動電路放電，放電時假設沒有限流回路則會瞬間燒毀驅動電路，所以在一般驅動電路中都會串聯最少1Ω限流電阻，但由于此電阻存在驅動能耗就會增加，這是個矛盾的問題，這里就不討論了。同樣DS也存在結電容，這個結電容隨著導通與截止也存在充放電，恢復時間可認為就是電容放電時間，動態特性就是表述這些特征的。
至于結溫與跨導，個人認為不用過多了解，結溫通常是環境溫度+溫升，溫升的主要問題在于內阻成正比，內阻又與驅動電路功率成正比，結合上面幾個圖，不難看出此mos管最好提供8Vgs以上做驅動，驅動功率看你的頻率要求。頻率越高需要的驅動電路瞬時功率就大。mos管可看作容性負載。如果是簡單的燈開關電路，則單片機IO就可直接驅動（假設單片機io電壓>6.5v)。如果輸出pwm驅動則需要一級三極管電流放大驅動。在mos管組成的各種開關電源電路中，很多效率低下都是不重視mos管動態驅動電路功率造成的。有人愿意深入學習mos管，真是高興。
還有，結電容越小，越容易驅動，但管子功率越小。這是器件結構造成的。
以上是個人理解，不對之處還請指正。

第一圖在VGS=10時VDS和ID接近線性