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發布時間: 2020-9-14 20:06
正文摘要:本人最近通過參考網上資料，設計了一個單片機 通過 光耦 驅動 P溝道MOS 管，控制電磁閥的電路，由于本人新手小試，電路設計出來了，不知有沒有問題，現向各位大神請教，電路是否可行，電阻是否匹配，那一個電路電阻 ... |
cuihaodianzi 發表于 2020-9-22 23:51 R6取消了，抱歉，給大家填麻煩了。主要是頭腦一沖動，計算時考慮錯了。 |
hebxk311a 發表于 2020-9-15 01:27 用 TC4420 試試吧，比較穩定，也沒那么復雜，幾塊錢一個 電源和設備都是 12 V ，為什么還要限流呢 |
hebxk311a 發表于 2020-9-15 01:27 你的電磁閥是 12V 電源也是 12V ，還控制什么電流 |
| 9#的方案最好。MOS管可以選低開啟的MOS功率管 |
xianfajushi 發表于 2020-9-16 16:22 謝謝指點，學習了。 |
| 電路設計有待提升的空間 |
wulin 發表于 2020-9-15 21:34 謝謝。在您的提醒下，仔細想了想，您的意見非常對。 R2原來是想為在沒有R9時供PMOS泄壓用的，下面增設了R9后，這個R2是沒有用了。 R6算錯了，今天仔細想了想，P=U^2/R , R=24, 這個應該是它本身的阻抗了，是不應該加R6這么個電阻，加了R6會導致該路電阻增加，電流降低，從而導致功率下降。 最終，取消R2,R6. |
hebxk311a 發表于 2020-9-15 19:40 R2純屬多余，R6的存在可能導致電磁閥功率不足，工作不可靠。 |
hebxk311a 發表于 2020-9-15 18:41 可以用兩個1K電阻分壓。低速開關，這個電阻大小不必太計較。 |
wulin 發表于 2020-9-15 16:00 收到，有受益。謝謝回復。但是如圖連接時，1.8K電阻是否會將12V都在PMOS上了，超過了SI2301的VGS=8V，下面應該加上一個1.8k的分壓電阻，這樣保證vgs=6v左右。 |
hebxk311a 發表于 2020-9-15 10:31 上面給你的兩個圖都是高電平驅動，如果你堅持要用低電平驅動可按下圖連接。 
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不過光耦的限流電阻似乎大了，流過發光管的電流是否符合光耦要求，還需要查看元件曲線去計算，應該用5-光耦發光管壓降/電阻=電流 |
| 修改后基本可以，用光耦驅動比較適合更廣的后級元件選擇，采用直接驅動得選低壓驅動的場效應。至于時間的推算可參考選用元件的頻率參數，主用是電磁閥的時間應該比電子元件的遠遠大。 |
| 我做的只是一個電磁閥開關電路，要求也就是偶爾開一次，但開通和關閉要迅速，低延遲，且開通的時間非常短。 |
wulin 發表于 2020-9-15 07:08 這二個電路在單片機IO口輸出低電平時能做到開、高電平關電磁閥么？我感覺有些問題。 |
wulin 發表于 2020-9-15 07:08 謝謝，很有啟發。 |
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MOS管是電壓驅動型，用作低頻開關幾乎沒有驅動電流。
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| 不過光耦這樣接法還不是最優，最優應該用射隨器驅動光耦。 |
| 總的說電路考慮的還周到，就是R1、2、3可以省，光耦串聯電阻大約在4K左右，這要看你選擇在曲線的哪個位置決定電阻的值。P2口通常不需上拉，限流同接到IO合并即可。 |
cuihaodianzi 發表于 2020-9-15 00:52 R6控制電磁閥的電流的，這個應該保留吧。 |
| 這個求助一是要解決單片機控制多個電磁閥的問題，另一個原因就是想學習一下光耦與 MOS管的電路設計問題。 |
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謝謝您的回復。 看了網上的NPN三極管控制繼電器的電路的有關介紹，還是有些不明白。找到了這個： https://www.dgzj.com/zhishi/danpianji/94941.html 一、使用單片機的低電平開啟電磁閥，可能用P溝道的MOS管更好； 二、單片機與MOS管的直通，輸出電流可能驅動不了P MOS吧，需要放大。 |
| 個人認為 R3 R5 R6 都不要，R4 到光耦 第 4 腳 之間串一個 10-100R 電阻 |
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不要光耦合器,不要,不要 一個電阻加一個N溝道的MOS管就可以了,請參考NPN三極管控制繼電器的電路 不要把簡單事情復雜化 |
組圖打開中，請稍候......
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