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求大佬解釋關于單片機p0與其他io口的區(qū)別

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發(fā)布時間: 2019-7-30 17:10

正文摘要:

我用P1,p2,p3作為uln2003的輸入1時候輸出為什么是1.3v, 而作為p0就正常為0.2v低電平;為什么除了p0外都那么高,完全驅(qū)動不了

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ID:587831 發(fā)表于 2019-7-31 15:52
P0口接其他外設時需要接上拉電阻,P0口與其他四個口不同,貌似我記得是集電極開路門,具體情況要想追究你可以看看數(shù)字電子技術(shù)基礎,
ID:561076 發(fā)表于 2019-7-31 11:46
p0口內(nèi)部是開漏電路,需要在外部接上拉電阻
ID:592928 發(fā)表于 2019-7-31 10:44
PO口還可以作為地址的低8位的輸出口,是在分時復用的基礎上,不加上拉電阻。
ID:592928 發(fā)表于 2019-7-31 10:43
PO口是單片機的一個IO口用于與外界進行信息的交換,可作為普通的IO口。
ID:451968 發(fā)表于 2019-7-30 23:03
bemc 發(fā)表于 2019-7-30 20:25
io口的狀態(tài)設置問題 看mcu的手冊 初始化一下

io不是初始話都為1啊,這因該沒問題吧,還是你指的是什么
ID:451968 發(fā)表于 2019-7-30 23:01
sunhill_wz 發(fā)表于 2019-7-30 19:18
作為輸出時51的p0口是開漏輸出,p1-p3內(nèi)部有上拉電阻。ULN2003的輸入是TTL特性,根據(jù)手冊,標準51的p0口能 ...

灌電流得怎么測量啊?我只知道p0口的灌電流最大可以達到10毫安,但是我也不知道怎么測量還請大佬指點下
ID:451968 發(fā)表于 2019-7-30 22:57
sunhill_wz 發(fā)表于 2019-7-30 19:18
作為輸出時51的p0口是開漏輸出,p1-p3內(nèi)部有上拉電阻。ULN2003的輸入是TTL特性,根據(jù)手冊,標準51的p0口能 ...

但是我p0口都已經(jīng)有上拉電阻了,就不是開漏輸出了吧
ID:451968 發(fā)表于 2019-7-30 22:55
鄭漢松 發(fā)表于 2019-7-30 17:38
P0口要接上拉電阻才可以,不然翻轉(zhuǎn)不到高電平

有上拉電阻的
ID:522963 發(fā)表于 2019-7-30 20:42
你的IO口間和ULN2003之間各跨接個100歐電阻試試,可能是驅(qū)動不足的原因。
ID:285863 發(fā)表于 2019-7-30 20:25
io口的狀態(tài)設置問題 看mcu的手冊 初始化一下
ID:511461 發(fā)表于 2019-7-30 20:18
1、P0口作輸出口用時,需加上拉電阻。
2、P0口有復用功能。當對外部存儲器進行讀寫操作時,P0口先是提供外部存儲器的低8位地址,供外部存儲器地址鎖存器鎖存,然后充當數(shù)據(jù)線,用于寫出或讀入數(shù)據(jù)。
3、P1口、P2口只是普通IO口。
ID:592722 發(fā)表于 2019-7-30 19:18
作為輸出時51的p0口是開漏輸出,p1-p3內(nèi)部有上拉電阻。ULN2003的輸入是TTL特性,根據(jù)手冊,標準51的p0口能低電平驅(qū)動8個TTL,p1-3只能驅(qū)動4個TTL,按理不會出現(xiàn)你說的那種情況高到1.3v的情況,你有量過灌電流多大么。
ID:514901 發(fā)表于 2019-7-30 17:38
P0口要接上拉電阻才可以,不然翻轉(zhuǎn)不到高電平

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