這到底是有多難的電路呢?
你對著我這電路接就可以了,兩個電路都是我實際測量使用過的,電阻不能少因為是MOS管,有時候會誤導通的.
這樣的電路也一樣的會產(chǎn)生壓降,不同的MOS管壓降也不同,但還是要比三極管小很多的,只要不是很精密的電路的話,實用性還是很強的,壓降一般是在:0.02V-0.06V左右,1A的電流.

非常感謝大家的回復。我得面包板來挨個測試一下。謝謝大家

推薦個簡單實用的電路,單片機IO口設置成內(nèi)上拉,高電平時Q1導通,繼而Q2導通,負載RL得電.VDD可以取與單片機電源共地的任意電壓,當然前提是不能超過元件的極限參數(shù).電壓取得高,適當加大R1阻值.

bigfou 發(fā)表于 2019-1-23 23:09
因為系統(tǒng)啟動時 默認就是低電平，只要外圍設備默認就通電了。我想啟動默認外設不通電。

那你用一個NMOS控制一個PMOS不就行了 NMOS是高有效 PMOS是低有效

所謂的壓降到底有多大,一般飽和時CE壓降很小的..
CE壓降大會不會是因為B極電流過小而C極負載較大而跑到了放大區(qū)了?
用萬用表測下B極電阻上降了多少電壓,就能大概算出B極電流.如果IO口是內(nèi)上拉,驅(qū)動NPN管一般不需要B極限流電阻,內(nèi)部上拉電阻已經(jīng)可以起這個作用了.

NMOS控制正極 PMOS控制負極  三極管深度飽和 電流不大的場景  壓降也可以忽略不計

用鍺pnp管吧

換成PMOS管，不需要加其他電路；換成NMOS，需要加電荷泵電路

wulin 發(fā)表于 2019-1-23 20:51
采用P溝道場效應管低電平觸發(fā)作電源開關比較適合。

因為系統(tǒng)啟動時 默認就是低電平，只要外圍設備默認就通電了。我想啟動默認外設不通電。

bigfou 發(fā)表于 2019-1-23 20:05
非常感謝您的回復。我去了解了一下，我這個場景需要用N溝道場效應管。我選了SI2300 這個，是不是只要圖那 ...

采用P溝道場效應管低電平觸發(fā)作電源開關比較適合。

換成場效應管，壓降可以忽略不計