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標題: 單片機復位電路中電容下拉電阻的作用分別是什么？ [打印本頁]

作者: 李熠1008 時間: 2017-6-9 16:12
標題: 單片機復位電路中電容下拉電阻的作用分別是什么？
RT 感謝各位大佬..

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復位電路

作者: zl2168 時間: 2017-6-9 18:45
本帖最后由 zl2168 于 2017-6-9 18:47 編輯

復位電路

圖1-12a為80C51上電復位電路。RC構成微分電路，在上電瞬間，產生一個微分脈沖，其寬度若大于2個機器周期，80C51將復位。為保證微分脈沖寬度足夠大，RC時間常數應大于2個機器周期。一般取10mF電容、10kΩ電阻。
圖1-12b為按鍵復位電路。R1C1構成上電復位電路，R1C2構成按鍵復位電路。若要復位，只需按下圖中RESET鍵，R1C2使RST端產生一個微分脈沖復位，復位完畢C2經R2放電，等待下一次按下復位按鍵。
以上摘自張志良編著《80C51單片機實用教程——基于Keil C和Proteus》高等教育出版社ISBN 978-7-04-044532-9, 用于學習51單片機原理，程序（雙解c和匯編）語句條條有注解，便于閱讀理解，便于自學。

80C51復位電路.jpg (42.66 KB, 下載次數: 133)

作者: yzwzfyz 時間: 2017-6-9 20:16
樓主的物理基礎太差了。
電容在沒有電荷的時候兩極板電位相等，壓差為0。
電路上電后，由于上電前電容上的電荷已放完，這時電位兩極等電位（V電容=0），即RST端=VCC。隨著時間的推移，電容上電荷逐漸積，電容兩段電壓也逐漸增大，使得RST（= VCC - V電容）逐漸下降，當電容上充滿電之后，V電容=Vcc，使得RST=0。
而單片機復位就是需要RST=高電平且保持一段時間，運行時RST又必須=低電平。所以電容的充電過程剛好制成造了這個條件。
電阻配合電容的充電，限制充電電流的大小，從而控制RST=高電平的時間，當然也與電容的大小相關。R、C大小取值，主要依據單片機復位所需要的時間而設定，足夠復位就可以了。
電阻下拉，是因為單片機運行時RST必須是低電平。反之如果單片機是低電平復位，高電平運行，則電阻就應該上接，而電容接地。

作者: Daniel_zwm 時間: 2018-6-5 00:10
RC延時用的，而且MCU正常工作時，有這個下拉電阻，抗干擾更好。

作者: 冬天的野狼 時間: 2018-6-5 09:36
電容是起一個上電自動復位作用

作者: 胡阿小小小 時間: 2018-6-5 17:11
51單片機推薦電阻選8.2k ，電容選10uF RC=10e-6 *10000=0.1S T=RCln(Ed/(Ed-Vt))=RCln2=0.7RC=0.7*0.1=0.07S 當Vt=.5Ed 可見推薦的RC時間常數是復位要求2個機器周期的很多倍，這充分考慮了上電時電源的不穩定因素。下拉電阻構成RC電路，沒有R電容無法充放電呀。只有當電源電壓低于電容電壓時電容才會放電呀

作者: zhoum 時間: 2018-6-5 19:05
硬件消抖動

作者: 360463639 時間: 2018-6-6 09:43
電阻配合電容的充電，限制充電電流的大小，從而控制RST=高電平的時間，當然也與電容的大小相關。R、C大小取值，主要依據單片機復位所需要的時間而設定，足夠復位就可以了。

作者: uyao 時間: 2018-6-6 11:18
電容抗干擾，電阻上拉的作用，應該是這樣

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