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標(biāo)題: VGS在線性區(qū)，功率MOSFET反向?qū)ǖ膯栴} [打印本頁]
作者: 小融1號    時間: 2017-4-6 11:55
標(biāo)題: VGS在線性區(qū)，功率MOSFET反向?qū)ǖ膯栴}
圖1為二個P溝道的功率MOSFET組成的充電電路，P溝道的功率MOSFET的型號為：AO4459。Q3和R1實現(xiàn)恒流或限流充電功能，Q4控制電路的工作。

圖1：P溝道MOSFET組成充電電路

電路工作時，客戶工程師發(fā)現(xiàn)：Vin=5V，ID=100mA，VGS=2.5V時，Q1的導(dǎo)通壓降只有0.06V，那么，這是不是表明：功率MOSFET在反向工作的時候，VTH比正向?qū)ǖ臅r候低？是不是二極管的分流作用導(dǎo)致反向工作時的壓降降低呢？

AO4459的一些特性如下：


圖2：AO4459的二極管特性

圖3：AO4459的傳輸特性

VTH是功率MOSFET的固有特性，表示功率MOSFET在開通過程中溝道形成的臨界電壓。

導(dǎo)通電阻表示功率MOSFET完全開后的電阻，和上述的線性區(qū)工作狀態(tài)并不相同。

功率MOSFET的內(nèi)部二極管導(dǎo)通的反向工作狀態(tài)，因為其S、D極的電壓為二極管的壓降，因此并沒有線性區(qū)的過程，也就是為什么同步整流SSR為零電壓開關(guān)ZVS，沒有開關(guān)損耗的原因。

P溝通的功率MOSFE的二極管先導(dǎo)通，和通用的二極管一樣，PN結(jié)的耗盡層減小到消失，N區(qū)的電子會注到P區(qū)，P區(qū)的空穴會注入到N區(qū)，形成非平衡少子。

圖4：二極管正向?qū)?/font>

圖5：少子注入對溝道影響

在N-Body區(qū)的溝道附近，P區(qū)的空穴注入到N-Body區(qū)，同時，N-Body區(qū)電子也會注入到P區(qū)，這樣實際上增加了溝道中空穴的濃度，促進(jìn)了N-Body區(qū)溝道中反型層的形成，因此，溝道飽和前，同樣的VGH電壓下形成更寬的溝道，降低溝道的導(dǎo)通電阻，也就是降低了導(dǎo)通壓降。

隨著VGH電壓的提高，溝道狹窄區(qū)的載流子接近飽和，溝道的導(dǎo)通電阻及導(dǎo)通壓降就不再有明顯的變化。

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