標題: 半導體器件發展進程 [打印本頁]
作者: 小融1號 時間: 2017-1-10 14:33
標題: 半導體器件發展進程
新的一年，祝大家新年新開始，新的一年新的收獲、新的進步。這一周聊一個輕松的話題，回顧一下半導體發展的進程中，一些關鍵時間節點的重大事件，下一周開始繼續技術分享。
1874年：Braun發明金屬和半導體面緊密接觸形成的金屬-半導體結的結構，開創半導體器件研究的新時代。
1947年：W.Shockley發明P型和N型半導體面緊密接觸形成的PN結的結構。
1947年：美國貝爾電話研究所的W.H.Brattain和J.Bardeen發明了點接觸型晶體管，1948年同樣在美國貝爾電話研究所的W.Shockley申請了易于產業化的接合型晶體管專利。
W.H.Brattain、J.Bardeen和W.Shockley因發明三極管一起獲得1956年諾貝爾物理獎。
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J.Bardeen負責晶體管理論研究，后來他由于超導理論，再獲1972年獲得諾貝爾物理獎。
1955年：W.Shockley離開貝爾實驗室創建肖克利半導體實驗室，他的個人才華和魅力吸引了一大批天才的青年才俊到研究所工作，他的個人性格、管理方法和怪異行為又導致他和這些天才產生矛盾，最后不歡而散而出走，其中八人決定一同辭職，這就是著名的八判逆事件。
八叛逆在Fairchild Semiconductor，1959年，從左至右：戈登·摩爾（Gordon Moore）、尤金·克萊爾（Eugene Kleiner）、謝爾頓·羅伯茨（Sheldon Roberts）、羅伯特·諾依斯（Robert Noyce）、維克多·格里尼克（Victor Grinich）、朱利亞斯·布蘭克（Julius Blank）、金·赫爾尼（Jean Hoerni）、杰·拉斯特（Jay Last）。
八判逆的離開，如同隨風四處散落的蒲公英的種子，茁壯成長，催生了硅谷及眾多半導體公司的誕生。
1958年：Kilby提出了世界上第一款集成電路和原型。
同年、美國德州儀器TI的基爾比設計出世界第一款集成電路板，并申請專利。
1959年：在仙童半導體Fairchild Semiconductor工作的羅伯特·諾依斯（Robert Noyce）基于仙童的平面工藝Planner Process和硅晶片上的擴散技術提出了制作集成電路的想法：在硅片上加上一層氧化硅作為絕緣層，然后在這層絕緣氧化硅上打洞，用鋁薄膜將已用硅擴散技術做好的器件連接起來。諾伊斯起草了集成電路的專利申請書，他事先知道TI已向專利局遞交了申請，但不知道TI專利的內容，因此他在自己的專利申請中強調仙童以平面工藝來制造集成電路的。盡管基爾比先于諾伊斯申請了集成電路的專利，但諾伊斯的平面連接工藝領先于基爾比的工藝，這也導致了多年關于第一個發明集成電路的歸屬權的爭議。
1960年：Kahng和Atalla發明MOSFET，MOSFET的發明對于集成電路的大規模商業化應用奠定了基礎。
1965年：摩爾在當年第35期《電子》雜志上發表迄今為止半導體歷史上最具意義的論文，提出了非常有名的摩爾定理。摩爾天才地預言：集成電路上能被集成的晶體管數目，將會以每18個月翻一番的速度穩定增長，并在今后數十年內保持著這種勢頭。
1967年：Kahng和施敏基于MOSFET，使用浮柵技術，發明了非易失性半導體存儲器，推動了半導體器件在電子產品的應用及發展。
同年，Dennard發明動態隨機存儲器DRAM Dynamic Random Access Memory.
1968年：摩爾和諾伊斯一起退出仙童公司創辦了Intel，致力于開發當時計算機工業尚未開發的數據存儲領域。
1969年：英特爾推出自己的第一批產品雙極處理64位存儲器芯片，代號為3101。
同年，被迫離開仙童的桑德斯創辦了Advanced Micro Devices公司。
1970年：Boyle和Smith發明電荷耦合器件CCD Charge Coupled Device，這種器件后來大量應用于數碼相機，手機和光檢測系統。
1971年：英特爾的Hoff等人制造出世界第一個4位微處理器4004，這是半導體行業的一個里程碑。
1972年：英特爾推出第一個容量為1KB的[url=]動態隨機存儲器[/url]1103，它的誕生正式宣告了磁芯存儲器的滅亡，并最終成全了個人電腦革命。
2000年：加州大學伯克利分校的胡正明Chenming Hu教授發明FinFET。
文章來源：微信公眾號 融創芯城（一站式電子元器件、PCB、PCBA購買服務平臺，項目眾包平臺，方案共享平臺）
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