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標(biāo)題: STM32對內(nèi)部Flash的保護措施 [打印本頁]

作者: heicad 時間: 2014-10-24 14:02
標(biāo)題: STM32對內(nèi)部Flash的保護措施
                                                                                             1、STM32對內(nèi)部Flash的保護措施
所有STM32的芯片都提供對Flash的保護，防止對Flash的非法訪問 - 寫保護和讀保護。
1)、讀保護即大家通常說的“加密”，是作用于整個Flash存儲區(qū)域。一旦設(shè)置了Flash的讀保護，內(nèi)置的Flash存儲區(qū)只能通過程序的正常執(zhí)行才能讀出，而不能通過下述任何一種方式讀出：
通過調(diào)試器(JTAG或SWD)；
從RAM中啟動并執(zhí)行的程序；
2)、寫保護是以四頁(1KB/頁) Flash存儲區(qū)為單位提供寫保護，對被保護的頁實施編程或擦除操作將不被執(zhí)行，同時產(chǎn)生操作錯誤標(biāo)志。
讀與寫設(shè)置的效果見下表：
讀保護寫保護    對Flash的操作功能
有效有效 CPU只能讀，禁止調(diào)試和非法訪問。
有效無效 CPU可以讀寫，禁止調(diào)試和非法訪問，頁0~3為寫保護。
無效有效 CPU可讀，允許調(diào)試和非法訪問。
無效無效 CPU可以讀寫，允許調(diào)試和非法訪問。
2、當(dāng)Flash讀保護生效時，CPU執(zhí)行程序可以讀受保護的Flash區(qū)，但存在兩個例外情況：
1)、調(diào)試執(zhí)行程序時；
2)、從RAM啟動并執(zhí)行程序時
STM32還提供了一個特別的保護，即對Flash存儲區(qū)施加讀保護后，即使沒有啟用寫保護，F(xiàn)lash的第 0 ～ 3 頁也將處于寫保護狀態(tài)，這是為了防止修改復(fù)位或中斷向量而跳轉(zhuǎn)到RAM區(qū)執(zhí)行非法程序代碼。
3、Flash保護相關(guān)函數(shù)
FLASH_Unlock(); //Flash解鎖
FLASH_ReadOutProtection(DISABLE);  //Flash讀保護禁止
FLASH_ReadOutProtection(ENABLE); //Flash讀保護允許

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