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標題: 獨立按鍵的安全問題 [打印本頁]

作者: 萬家燈火51 時間: 2026-2-10 20:20
標題: 獨立按鍵的安全問題
我看大多數人的獨立按鍵，都是按下直接接地，如果按下的時候，代碼向這個io口輸出1，是不是就燒壞了？那么，安全的獨立按鍵，應該怎么設計呢？大師們討論下，開闊下思路，謝謝。

作者: WL0123 時間: 2026-2-11 07:51
MCU的IO口在準雙向模式下輸出電流是受限的，當端口在高電平時被外電路拉低，由于輸出電流受限不會因此燒壞。所以代碼向這個IO口賦值1，如果按下按鍵，MCU讀此IO口為0即判斷鍵按下。

作者: joyb 時間: 2026-2-11 08:39
單片機是控制，沒有燒壞能力

作者: xiaobendan001 時間: 2026-2-11 08:53
事實上就算設為推挽模式，也燒不壞單片機的。只是功耗變大一些

作者: wpppmlah 時間: 2026-2-11 09:01
串接100-300歐姆的電阻到IO，不加電阻的一般沒有問題，二般的就不好說了。

作者: dcc60 時間: 2026-2-11 10:53
只要不是自鎖接地不會有什么問題。

作者: 萬家燈火51 時間: 2026-2-11 15:45

wpppmlah 發表于 2026-2-11 09:01
串接100-300歐姆的電阻到IO，不加電阻的一般沒有問題，二般的就不好說了。

仿真試了下，10歐可以拉低到低電平，再大按不按，輸入都是高電平了。但實際器件沒有測可以大到歐。

作者: zhuls 時間: 2026-2-11 16:08
準雙向口是51系列單片機中P1、P2、P3端口的電路結構特性，具有固定內部上拉電阻的I/O端口類型。其作為輸入時需先向端口鎖存器寫入高電平以斷開下拉電路，外部低電平信號會引發拉電流；
作為輸出時可直接寫入數據無需方向寄存器設置，輸出高電平由內部上拉電阻實現。
與真雙向口相比，準雙向口不具備高阻態且輸入高電平由內部電路提供。
P1口為單功能準雙向口，P2口可復用為高8位地址總線，P3口兼具通用I/O和第二功能復用特性，每個口可獨立控制。
P0口在通用I/O模式下需外接上拉電阻，總線模式下呈真雙向特性。
四個端口字節地址分別為80H、90H、A0H、B0H，其中P0口采用開漏輸出結構且驅動能力為其他端口兩倍。
P1-P3口每位可驅動4個LS型TTL負載。
準雙向口輸出低電平時可吸收20mA電流，輸出高電平時驅動能力較弱。
在現代增強型51單片機（如STC8系列）中，準雙向口可通過軟件配置為準雙向口、推挽輸出、開漏輸出和高阻輸入四種工作模式之一。

這段文字你看一下，重點看一下紅色下劃線部分。

作者: xiaobendan001 時間: 2026-2-12 08:55

萬家燈火51 發表于 2026-2-11 15:45
仿真試了下，10歐可以拉低到低電平，再大按不按，輸入都是高電平了。但實際器件沒有測可以大到歐。

實際上準IO是大概50K上拉，意味著只要小于50K差不多就行，比如10K肯定可以拉下來雖然拉不到0V，所以1K以下應該都沒問題。當然開啟內部4.1K上拉的話，用1K應該也可以被識別為0
如果是推挽模式那就不行了，可能真要10歐以下了。

作者: man1234567 時間: 2026-2-12 12:36
印象中用STC的51單片機亂接一氣也沒燒，但會嚴重發熱且沒燒壞。

作者: 千早愛音愛玩51 時間: 2026-2-13 00:39
單片機的IO口存在一個不小的內阻，STC的51單片機大約20歐左右，即使在推挽輸出高電平也不會燒壞。

作者: 千早愛音愛玩51 時間: 2026-2-13 00:42
一般來說按鍵的IO都是高阻模式，就算寫1，io也沒反應，就算不小心切到了推挽，也沒事，io口內阻在20歐以上，短接到地不會直接損壞。而且按鍵設計中一般是低電平代表按下最可靠，如果你真的擔心這個，大不了就啟用片內上拉，然后按鍵用100歐電阻接地

作者: 188610329 時間: 2026-2-15 22:33
就51單片機而言，你吧所有IO都直接接地，你向這個IO輸出1，都不會燒壞單片機。但反過來，你把IO接VCC，然后向這個IO輸出0，是可以燒壞單片機的。這也是單片機的基礎教程之一“所有IO可以被外部拉低，但不可以被外部拉高，所以讀外部電平時IO必須設置為1”

作者: cggcgg2026 時間: 2026-2-24 16:45
單片機的IO口沒有那么脆弱

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