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標題:
低內阻高效率 皮實耐抗NMOS管HC3400Y 30V5.8A場效應管 高性價比
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作者:
惠海小晴
時間:
2025-5-28 09:20
標題:
低內阻高效率 皮實耐抗NMOS管HC3400Y 30V5.8A場效應管 高性價比
HC3400Y 特點
♦羅恩(典型值)= 27mΩ @ VGS = 4.5V
♦低電阻
♦150°C 工作溫度
♦快速切換
♦無鉛,符合RoHS標準
HC3400Y 描述
HC3400Y由溝槽處理設計技術來實現極低的導通電阻。快速切換速度和改進的傳輸有效的。這些功能結合在一起,使這個設計一種極其高效和可靠的設備,用于
各種DC-DC應用。
NO.1 20-250V MOSFET分享清單
一、低壓段(20V-30V-40V-60V)
典型規格:3400 、30N03 、50N03 、90N03 、120N03 、50N04 、120N04 、15N06 、30N06 、50N06 、70N06 、120N06 、3401 、5P03 、5P04 、15P04 、30P04 、50P04 、5P06 、20P06 、50P06
二、中壓段(100-200V)
典型規格:5N10、12N10、15N10、25N10、45N10、70N10、5N15、10N15、15N15、5P10、10P10、30P10、50P10、8P15、30P15
三、高壓段(200-250V)
典型規格:5N20 、10N20 、5N25 、20P20
NO.2 核心優勢:技術參數拉滿,性能碾壓級
【寬電壓覆蓋,一管多用】20-250V寬耐壓范圍,適配從低壓傳感器到高壓消費設備的多場景需求,無需頻繁更換器件,省心省成本!抗沖擊能力強,瞬態高壓耐受值高達300V,惡劣環境下依然穩如泰山。
【低內阻,高效能】內阻低至1mΩ(具體型號支持定制),導通損耗降低40%以上,大幅減少發熱,提升系統整體效率!支持持續大電流,滿足電機驅動、電源逆變等大功率需求。
【快速開關,高頻率】結電容<1000pF,開關延遲時間縮短至納秒級,高頻電路中實現“零拖沓”,很好適配PWM調光、DC-DC轉換等場景。低Qg(柵極電荷)設計,驅動電路更簡單,功耗再降一檔!
NO.3應用領域:消費電子,多方面覆蓋
【新能源與電力電子】光伏逆變器:太陽能高轉換效率,耐壓抗浪涌,戶外環境無憂!PD快充:支持大電流快充,可保持低熱損耗。
【智能消費電子】LED驅動
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