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標(biāo)題: mos管的米勒電容在哪里？ [打印本頁]

作者: 牛糞 時(shí)間: 2024-12-9 22:52
標(biāo)題: mos管的米勒電容在哪里？
米勒電容在是實(shí)物圖中的位置在哪了？是柵極與漏極重疊的電容嗎？還是說一開始沒有在開通過程中才有的？不要畫原理圖符號(hào)的那種解釋？我知道在柵極漏極之間，但我想知道什么是米勒電容的那兩個(gè)"極板’。在網(wǎng)上看的都說是Cgd，然后開始講原理符號(hào)圖，但它在哪怎么形成的呢？

作者: cyi8 時(shí)間: 2024-12-10 08:18
實(shí)物是看不到的，其實(shí)就是兩個(gè)極之間的電容，你可以把柵源兩極的滲雜材料形成的電極作為電容的兩個(gè)極，因?yàn)殡娙莓a(chǎn)生的原理知道只要有兩個(gè)極，就可能會(huì)產(chǎn)生電容，而電容大小與材料，極的面積大小與兩極距離等有關(guān)系，所以理論上會(huì)產(chǎn)生一個(gè)體電容。不止MOS管，電路板上兩根平行導(dǎo)線間都會(huì)有輕微的體電容現(xiàn)象。

作者: 明日之星8 時(shí)間: 2024-12-10 09:50
不是柵極與漏極重疊的電容，是柵極與漏極之間本身就有的電容，
你可以用電容表測量這兩個(gè)引腳。
半導(dǎo)體PN結(jié)(比如二極管)本身就有結(jié)電容，利用這個(gè)特點(diǎn)就做出了
變?nèi)荻䴓O管，MOS管也是同樣的。
兩根引腳之間還有電容呢，只不過比結(jié)電容小很多。

作者: 飛云居士 時(shí)間: 2024-12-10 10:00
以 MOS 管為例，柵極是由金屬或多晶硅等導(dǎo)電材料構(gòu)成，可視為一個(gè)極板；漏極是半導(dǎo)體材料的一部分，由于其與柵極之間存在絕緣層（如二氧化硅）相隔，當(dāng)在一定條件下，漏極也能起到類似極板的作用，與柵極形成電容結(jié)構(gòu)，所以從這個(gè)角度講，柵極和漏極就是米勒電容的兩個(gè)極板

作者: 王秋冬 時(shí)間: 2024-12-10 10:31
類似于三極管的be，MOS說為米勒。

作者: angmall 時(shí)間: 2024-12-10 11:16
米勒電容的“兩個(gè)極板”是：

柵極的金屬/導(dǎo)體部分。
漏極附近的半導(dǎo)體區(qū)域。

它們通過晶體管內(nèi)部的絕緣介質(zhì)（如氧化層或 PN 結(jié)耗盡區(qū)）耦合形成電容。雖然物理上它“始終存在”，但其電容值會(huì)根據(jù)晶體管的工作狀態(tài)變化。

作者: 牛糞 時(shí)間: 2024-12-11 14:54

angmall 發(fā)表于 2024-12-10 11:16
米勒電容的“兩個(gè)極板”是：

柵極的金屬/導(dǎo)體部分。

就是想知道它是如何變化

作者: 邵123456 時(shí)間: 2024-12-13 11:06
可以看一下張飛實(shí)戰(zhàn)電子錄的一個(gè)五谷豐登教程里面有一個(gè)專門講解的MOS管的內(nèi)部構(gòu)造，不是原理圖分析那種

作者: TP801 時(shí)間: 2024-12-29 10:54
三極管的B、C極，MOS管的G、D極存在一個(gè)極間電容，這個(gè)電容在共發(fā)射極、共源極電路中，可以等效到輸入、輸出回路中，從而極大增加輸入、輸出回路的電容量，影響高頻特性，也稱米勒效應(yīng)，這種情況下的電容稱為米勒電容�？梢詤⒖寄M電子技術(shù)、電子線路書的有關(guān)章節(jié)。

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