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標題:
是不是放大倍數高的三極管,更容易進入飽和區
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作者:
李冬
時間:
2023-9-13 08:51
標題:
是不是放大倍數高的三極管,更容易進入飽和區
哪些型號的三極管;鶚O1uA的小電流,能快速進入飽和區。
達林頓管,飽和導通壓降小。
SOT-23封裝型號的,有哪些
作者:
Hephaestus
時間:
2023-9-13 14:25
數字電路一般采用開環無反饋,你的結論是正確的。
模擬電路都是靠負反饋保持在線性區,跟放大倍數幾乎無關,進入飽和區是電路設計錯誤。
作者:
yzwzfyz
時間:
2023-9-13 15:45
可以這樣認為。但不是要點!
要點是:Vce兩點間的電壓。
1、電壓方向正確(集電極電壓反偏)。接錯了,就談不上放大、飽和了,無意義!
2、Vce有調節的空間時(如Vce = 1.5V,向下還可調),必定工作于放大區。被【擠死】無調節余地(如Vce = 0.1V,向下接近0了,無調節空間了),則認為是飽和了。
舉例:
NPN典型標準電路:Ib = 0.1mA,放大位數 = 100,集電極負載電阻 Rc = 1K 。
則IC = 10mA,URc= 10mA * 1K = 10V。
這時你計算Vce:Vce = Vcc - URc
當Vcc <10V時,你會發現 Vce <0,這是不可能的,只能接近0,也就是飽和了。
當Vcc >11V時,Vce >1V,向下還有1V的空間。所以工作于放大區。
記住:要點!
1、當Vce向上無調節空間(接近電源電壓)時,判為:【截止】。
2、當Vce向下無調節空間(接近0)時,判為:【飽和】。
3、其余:則是【放大區】。
當然電壓方向必須接正確,否則討論以上無意義!
臨界點如何定義呢?
一般硅管取0.3V、鍺管取0.1V。不一而認,參考手冊上的特性圖為佳。
設計中,將靜態Vce 設計在 Vcc的一半電壓時,可以得到最大不失真的正弦波電壓,峰峰值最大達到 = Vcc。
歡迎光臨 (http://m.raoushi.com/bbs/)
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