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標題: PL60N02D 20VN通道增強模式MOSFET場效應管 [打印本頁]

作者: bsdz123 時間: 2023-7-4 10:07
標題: PL60N02D 20VN通道增強模式MOSFET場效應管
一般說明
PL60N02D采用先進的溝槽技術，提供優良的RDS（ON）、低柵極電荷和柵極電壓低至2.5V的操作。本設備適用于用作電池保護或其他開關應用程序。

一般特征
VDS = 20V ID =60A
RDS(ON) < 5.5mΩ@ VGS=10V

應用
蓄電池保護
負荷開關
不間斷電源

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