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標題: 關于電流檢測兩種方式 [打印本頁]

作者: QWE4562012 時間: 2023-3-6 18:41
標題: 關于電流檢測兩種方式

高端檢測既然會使得放大器承受較高的共模電壓，那“都采取高側檢測”這句話豈不是自相矛盾
怎么理解負載腳底不穩？低端檢測會影響到GND電平的穩定性嗎？

幫忙講下這四個電路、高端檢測*2，低端檢測*2具體的工作原理，或輸出公式的推導過程

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低端檢測1.png (45.47 KB, 下載次數: 36)

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高端檢測2.png (54.69 KB, 下載次數: 40)

作者: Hephaestus 時間: 2023-3-6 23:31
你引用的文章作者本身就什么都不懂亂寫。

運放誕生之初就是默認雙電源供電，地在兩個電源中間。如果是單電源供電，那么地線就是正負供電的負電源，電源就是正負供電的正電源。如果高端檢測需要運放“承受較高的共模電壓”，那么低端檢測就需要運放“承受較低的共模電壓”。

作者: QWE4562012 時間: 2023-3-7 10:52

Hephaestus 發表于 2023-3-6 23:31
你引用的文章作者本身就什么都不懂亂寫。

運放誕生之初就是默認雙電源供電，地在兩個電源中間。如果是單 ...

把四個電路輸出電壓推導寫下哈

作者: wufa1986 時間: 2023-3-7 10:59
寫這篇文章的作者亂講，以前高端檢測還沒怎么發展專用芯片，絕大部分都是低端檢測，即使是現在，高端檢測芯片的承受電壓依然有很大限制

作者: renstone 時間: 2023-3-7 11:42
高端檢測是指取樣電阻位與電源高電位側和負載之間；
低端檢測是指取樣電阻位與負載和電源地之間。

低端檢測1這張圖是高端檢測。Rshunt是取樣電阻，流過電流時，會產生電壓差，這個電壓在經過差分放大器放大或衰減到后級。這里的關鍵是運放的+、-端所承受的電壓應該在運放允許承受的共模電壓范圍內，同時也在運放的正負電源軌范圍內，否則無法正常工作。由于電源電壓POWER可能遠大于運放的電源軌，采用高側采樣時，那么就需要先進行分壓把這個電壓值限制在運放共模輸入電壓范圍內。第一張圖里面，Rshunt的高電位側電位V1*R1/(R1+R2)就是運放+端的輸入電壓，同時由于運放負反饋，虛短，運放-端的電壓非常接近運放+端的電壓。從而+ -輸入端的電壓都被限制在運放允許共模輸入電壓范圍內。

高端檢測2這張圖，應該是VCC比較低時用的這個和低端檢測1實際上是一張圖。

至于推導，無非是負反饋、虛短、虛斷，你找本模電書，看一下差分放大器部分。
也可以到Ti的網站上找一下高側電流檢測的芯片手冊看一下

作者: coody_sz 時間: 2023-3-7 13:45
樓主引用的文章其作者確實有局限性。
高端檢測不是用普通的運放做（當然做好電源也可以），而是有專門的IC，放大部分電路不一樣的。
以前專用IC比較貴時，我常用普通運放，隔離正負電源供電（電感做反擊變換得到），運放的地與高端電源軌連接，用一個高壓P溝MOSFET將電流傳到低端，高端可以檢測高達400V。電壓120V以下，電流精度允許2%，則可以用2N5401.

作者: QWE4562012 時間: 2023-3-7 15:22

coody_sz 發表于 2023-3-7 13:45
樓主引用的文章其作者確實有局限性。
高端檢測不是用普通的運放做（當然做好電源也可以），而是有專門的IC ...

沒明白你說的是怎么接你把圖貼出來

作者: QWE4562012 時間: 2023-3-7 15:23

renstone 發表于 2023-3-7 11:42
高端檢測是指取樣電阻位與電源高電位側和負載之間；
低端檢測是指取樣電阻位與負載和電源地之間。

高端檢測運放承受的電壓不也是采樣電阻兩端的電壓嗎？這是一個差值應該很小才對

作者: renstone 時間: 2023-3-7 15:53

QWE4562012 發表于 2023-3-7 15:23
高端檢測運放承受的電壓不也是采樣電阻兩端的電壓嗎？這是一個差值應該很小才對

電壓和電位是兩個概念.電壓是兩點之間的電位差,電位是相對于0電位點的電壓.假定.你說的采樣電阻兩端的電壓是差模電壓,運放還有一個參數叫共模輸入電壓.你隨便找一本運放數據手冊看一下運放有沒有共模輸入電壓范圍這個參數,就是說取樣電阻兩端電位差可以很小(由于阻值小或者電流小),但取樣電阻兩端的電位并不低,有可能超過運放的共模電壓輸入范圍,假定你的POWER點這里是個DC 48V.那么此時Rshunt兩端的電位就在48V附近,兩端的電位差就是流過的電流乘Rshunt阻值.

就是說,此時運放承受的差分電壓是shunt電阻兩端的壓差.但此時的共模輸入電壓較高.

低端檢測時,運放一端接地,一端接采樣電阻上側,就不存在這個問題

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