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標題: 這個電路可以嗎?如果提高PWM 頻率,這個電路還可以運行嗎? [打印本頁]

作者: 無限飛翔 時間: 2023-2-22 12:56
標題: 這個電路可以嗎?如果提高PWM 頻率,這個電路還可以運行嗎?
照葫蘆畫瓢，做了這個電路，可以運行！

電路負載接了個燈泡，低頻率運行，疑問是如果提高PWM 頻率，這個電路還可以運行嗎？
我測了一下，單片機口電流8.2ma，也可以接受吧，現在擔心的是 MOS管IRF540N 刪極電壓，導通時21V，會不會太高了，長時間運行燒壞MOS管？

作者: man1234567 時間: 2023-2-22 14:21
這個電路成本幾塊錢，直接搭個試試就知道了

作者: 無限飛翔 時間: 2023-2-22 15:52
選錯電阻了，導通時電壓12V，就是這個電路，可以做到快通，快關嗎？

作者: BI4MPY 時間: 2023-2-22 16:40
我感覺可以在R1兩端并聯一個電容用來在高速開關的情況下讓控制信號更迅速的作用到Q2上，另外柵極電壓應該到不了21V吧？

作者: 黑色蜂鳥 時間: 2023-2-22 16:46
有電阻分壓,怎么可能會21V??

作者: 無限飛翔 時間: 2023-2-22 20:36

BI4MPY 發表于 2023-2-22 16:40
我感覺可以在R1兩端并聯一個電容用來在高速開關的情況下讓控制信號更迅速的作用到Q2上，另外柵極電壓應該到 ...

的確不到，我用錯電阻了

作者: 無限飛翔 時間: 2023-2-22 20:37

黑色蜂鳥發表于 2023-2-22 16:46
有電阻分壓,怎么可能會21V??

的確不到，我用錯電阻了，10K的別我用了個5K的

作者: 無限飛翔 時間: 2023-2-22 21:28

BI4MPY 發表于 2023-2-22 16:40
我感覺可以在R1兩端并聯一個電容用來在高速開關的情況下讓控制信號更迅速的作用到Q2上，另外柵極電壓應該到 ...

實驗j幾次，好像不能快速開啟！頻率高了燈就直接滅了...
加到0.025S，燈就滅了?

作者: yun~ 時間: 2023-2-22 22:52
電阻選錯了，換一個

作者: taotie 時間: 2023-2-22 23:07

無限飛翔發表于 2023-2-22 21:28
實驗j幾次，好像不能快速開啟！頻率高了燈就直接滅了...
加到0.025S，燈就滅了?

你憑肉眼就能觀察到40Hz的頻率變化嗎？？？
能不能快速開閉還是用示波器查看吧

作者: 無限飛翔 時間: 2023-2-23 08:17

taotie 發表于 2023-2-22 23:07
你憑肉眼就能觀察到40Hz的頻率變化嗎？？？
能不能快速開閉還是用示波器查看吧

示波器懶得拿桌子小懶得拿，我寫了個0.025S的延時翻轉，燈就不亮了？放常一點就可以。

作者: wufa1986 時間: 2023-2-23 09:15
提高頻率到一定程度，mos管會發熱嚴重，再高到一定頻率無法導通

作者: lkc8210 時間: 2023-2-23 09:23
R3可以直接不要吧？

作者: wys91203 時間: 2023-2-23 10:01
IRF540是N CHANNEL的增強型的，圖中符號錯了。按該元件特性，VGS在4-10V時控制 ID電流，屬于壓控電流源。

作者: pdwdzz 時間: 2023-2-23 10:15
快不了，R2向下充電要時間的。

作者: 王秋冬 時間: 2023-2-23 11:16

lkc8210 發表于 2023-2-23 09:23
R3可以直接不要吧？

不可以

作者: 無限飛翔 時間: 2023-2-23 11:37

wys91203 發表于 2023-2-23 10:01
IRF540是N CHANNEL的增強型的，圖中符號錯了。按該元件特性，VGS在4-10V時控制 ID電流，屬于壓控電流源。

圖標是不對！沒找到，用N型圖標帶用了，VGS電壓我查的是20V，實際工作12V。

作者: lkc8210 時間: 2023-2-23 22:10

王秋冬發表于 2023-2-23 11:16
不可以

愿聞其詳

作者: qq603599910 時間: 2023-2-23 22:48

lkc8210 發表于 2023-2-23 22:10
愿聞其詳

一般 MOS的GS耐壓不會超20V,所以電阻分壓是必須的. 我就曾經因為78M12散熱片虛焊24V直通燒毀了之路幾個MOS管.

作者: qq603599910 時間: 2023-2-23 22:55
這個電路在PWM 1K以內可以正常控制通斷,頻率一高必須加圖騰驅動,不然Q1會不規則導通,因為Q1的GS寄生結電容Ciss很大,10K分壓@1.2ma電流在瞬間無法充電完成.

作者: zywng2153 時間: 2023-2-24 10:09

qq603599910 發表于 2023-2-23 22:55
這個電路在PWM 1K以內可以正常控制通斷,頻率一高必須加圖騰驅動,不然Q1會不規則導通,因為Q1的GS寄生結電容C ...

作者: 阿牛——牛 時間: 2023-2-24 14:07
如果要高頻率開關，就必須滿足MCO的驅動電壓和驅動電流，最好在器Q2與MOS之間增加一個推完結構的驅動電路，這樣就滿足驅動電壓和電流，注意MOS的驅動最高電壓要高于5V和低于20V，不然MOS管會損壞或者不導通。

作者: 無限飛翔 時間: 2023-2-24 15:19

qq603599910 發表于 2023-2-23 22:55
這個電路在PWM 1K以內可以正常控制通斷,頻率一高必須加圖騰驅動,不然Q1會不規則導通,因為Q1的GS寄生結電容C ...

謝啦！！！
多次實驗，也是發現不對。

作者: lkc8210 時間: 2023-2-24 15:57

qq603599910 發表于 2023-2-23 22:48
一般 MOS的GS耐壓不會超20V,所以電阻分壓是必須的. 我就曾經因為78M12散熱片虛焊24V直通燒毀了之路幾個MO ...

一直以為Vgs的耐壓等于Vds的耐壓
受教了～

作者: hjc5035 時間: 2023-2-24 16:19
按這個電路的參數，不管三極管通斷，柵極電壓不可能到21V,頻率受柵極結電容的影響

作者: coody_sz 時間: 2023-2-24 18:58
樓主你看一下MOSFET的Total Gate Charge，VGS=10V時71nC，你提供PWM頻率，需要更大的驅動電流，你的電路會提供不了的。具體來說：假設額PWM頻率為50KHz，要求MOSEFT柵壓上升沿、下降沿都是0.5us，驅動電壓是10V，則需要電流 I=71*10^-9 / (0.5*10^-6)=0.142A，如果要求0.2us的驅動時間，則就要0.355A的電流，這就是為什么要用驅動IC的原因，驅動IC一般可以提供0.1~2A的驅動電流。

作者: 13423265909 時間: 2023-2-24 22:20
對你可以試試，一般單片機最高是12V供電，21V有點過高

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