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標題:
單片機外部FALSH芯片5個數據進行比較方法?
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作者:
jinni_wu
時間:
2022-10-12 19:11
標題:
單片機外部FALSH芯片5個數據進行比較方法?
一個數據保存在外部FALSH五個不同地方,后去讀取這五個地方的數據進行比較。當有超過3個讀到的數據相同時表示正確,同時其它不正確的進行覆蓋。有沒有比較好的方法進行判斷。
作者:
yzwzfyz
時間:
2022-10-13 14:04
這樣做有何意義呢?
作者:
jinni_wu
時間:
2022-10-14 17:20
yzwzfyz 發表于 2022-10-13 14:04
這樣做有何意義呢?
重要數據保證不會因FLASH這頁壞或其它原因而讀出來的數據與保存的數據不對
作者:
Hephaestus
時間:
2022-10-14 17:50
需要你先寫出來自己的想法,別人才可以看看有沒有可以改進的地方。
作者:
lijn
時間:
2022-10-14 18:52
本帖最后由 lijn 于 2022-10-14 19:08 編輯
數據少的用EEPROM方便,FLASH按扇區擦除,不可以字節讀寫。
作者:
188610329
時間:
2022-10-14 19:44
首先, Flash 要壞通常是整個芯片壞,而不是你以為的一個 頁壞。
其次,重要的數據,就算在不同的芯片里保存,一般也就存一個備份,更多的是寫入后驗證,而不是等讀出的時候才開始比對。讀5取3并不是一個正確的做法,真理很多時候,其實掌握在少數人手中,舉個簡單的例子,讀出來5個數據,其中兩個是0xAB, 三個是 0x00, 你是愿意相信 0x00 還是 0xAB 才是真實數據?
最后,就算非常非常非常重要的數據,也不是留5個備份,而是在 %覆蓋直徑距離外 留兩個副本,再加一個本地,絕沒有人留5個那么多。撇開必要性不說,副本越多,泄密的可能越高。
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