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標題: 集成電路芯片規模組成詳細介紹 [打印本頁]

作者: xiachu    時間: 2022-4-6 10:50
標題: 集成電路芯片規模組成詳細介紹
單獨制造的元件,如電阻器、電容器、二極管和晶體管,由電線或印刷電路板(PCB)連接,形成電路。這些電路稱為分立電路,它們具有以下缺點:
為了克服這些空間節約和可靠性問題,開發了ic。
IC由許多電路元件組成,如電阻器、晶體管等。它們以單個小封裝相互連接,以執行所需的電子功能。這些組件在半導體材料的小芯片內形成并連接。在IC中觀察到以下特征。
集成規模安裝在標準尺寸IC中的元件數量代表其集成度,換句話說,它是元件的密度。它分為以下幾類:
SSI – 小規模集成
它只有不到100個組件(大約10個門)。
微星 – 中型集成
它包含少于500個組件或具有超過10個但少于100個門。
LSI – 大規模集成
這里的組件數量在500到300000之間,或者有超過100個門。
VLSI – 超大規模集成
每個芯片包含超過300000個組件
VVLSI - 非常非常大規模的集成
它每個芯片包含超過1500000個組件。
IC和分立電路的比較
IC分立電路組件制造通常,二極管、電阻器和電容器等電子元件都是在單片芯片上制造的。為了制造這些IC元件,雜質在半導體晶圓(即基板)的特定位置添加或擴散,因此可以制成PN結圖(a)顯示了基本單片元件的橫截面積。

所有四個組件都是在P型基板或晶圓內部制造的。N型和P型部分由P型基板內的N型和P型材料制成。然而,這是通過擴散過程完成的。在此過程中,P型和N型材料(以氣體形式)在高溫下被添加到半導體晶圓中。將晶圓置于高溫、爐內(約100°C)
首先,在容易擴散的N型層的特定區域形成一層薄薄的硅二極管SiO2層。N型材料擴散到基板上。現在第一個大的N型藥水在基材內擴散。
再次在另一個新地方生長一層薄薄的SiO2,以在N型材料內部擴散P型材料。重復相同的過程以擴散N型材料的最后一種藥水。






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