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標題: 單片機控制MOS管 [打印本頁]

作者: PEB188 時間: 2021-10-16 09:55
標題: 單片機控制MOS管
單片機用STC8G系列的，供電電壓在1.9-5.4V之間。該怎么驅動VGS10V的mos管，用自舉電路好還是升壓模塊那種升壓電路好？還是別的？
還有這1.9V的電壓下，輸出也是1.9V，算高電平嗎，高電平不是2.4V以上嗎。

作者: 188610329 時間: 2021-10-16 13:10
mos管自行上拉到mos管需要的高電平, 單片機開漏模式,驅動MOS管（記得加限流電阻），即單片機只管給低電平，高電平讓mos管那邊的上拉電阻自行負責。

作者: yzwzfyz 時間: 2021-10-16 14:34
1、學習太死板，邏輯上的電平高低是為了劃分1、0。所以它是相對的。認為2.4V以上是高，太狹隘了！
例如：在一個1.8V的系統中，CPU電源電壓是1.8V，哪里會有2.4V的電壓，豈不是全部低電平了，如果定義2.4V為高電平還有何意義。記住：不同的系統對于高低電平的定義是不同的。
2、你的系統供電電壓在1.9-5.4V之間，如果開通MOS管需要10V，你是無法驅動MOS的，所以必須給出一個高于10V的電源。用單片機驅動一個NPN的三極管，再用三極管驅動MOS。驅動三極管大于0.7V即可，單片機能辦到。三極管加10v以上的電壓，它驅動MOS就成了。

作者: wulin 時間: 2021-10-16 16:14
VGS10V的MOS管，這只是手冊中的測試電壓，實際使用還要看VGS閾值電壓和極限電壓。低電壓驅動的MOS管很多。

作者: 老愚童63 時間: 2021-10-16 16:23
可以考慮使用低GS驅動的MOS管，如3400系列，2300系列或者復合管

作者: rayin 時間: 2021-10-16 17:22
有些mos需要驅動柵極電壓較高，10v，高于單片機的5V vdd，需要用三級管擴展電壓來驅動MOS管。

作者: liesnake 時間: 2021-10-16 17:39
樓主是要低端驅動還是高端驅動？低端的話三極管，光耦就可以了。高端驅動的話，必須要自舉電容。現在也有自帶電荷泵的nmos就不需要自舉電容了。

作者: PEB188 時間: 2021-10-16 21:38

188610329 發表于 2021-10-16 13:10
mos管自行上拉到mos管需要的高電平, 單片機開漏模式,驅動MOS管（記得加限流電阻），即單片機只管給低電平， ...

是用Pmos嗎

作者: PEB188 時間: 2021-10-16 21:42

liesnake 發表于 2021-10-16 17:39
樓主是要低端驅動還是高端驅動？低端的話三極管，光耦就可以了。高端驅動的話，必須要自舉電容。現在也有自 ...

啥是低端驅動和高端驅動。我是想驅動VGS10V的NMOS，大電流的。自舉電路跟升壓電路有哪個驅動比較好

作者: PEB188 時間: 2021-10-16 21:45

liesnake 發表于 2021-10-16 17:39
樓主是要低端驅動還是高端驅動？低端的話三極管，光耦就可以了。高端驅動的話，必須要自舉電容。現在也有自 ...

我看有個帖子，用升壓模塊升壓，再用單片機控制光耦TLP250來控制MOS的開關

作者: liesnake 時間: 2021-10-16 22:35
mos管接電源正極的話，需要自舉電容。mos管接地，不需要電容

作者: weijoyer 時間: 2021-10-26 23:01
需要一個升壓電路，用三極管做推挽電路進行驅動

作者: TTQ001 時間: 2021-10-27 09:22
驅動一個 NPN 晶體管，然后以更高的電壓進一步驅動 mosfet。

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