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標(biāo)題: 關(guān)于MOS管和三極管驅(qū)動(dòng)電路 [打印本頁(yè)]

作者: QWE4562012    時(shí)間: 2021-9-10 14:49
標(biāo)題: 關(guān)于MOS管和三極管驅(qū)動(dòng)電路
1.用三極管Q4的漏電流為(3.3-0.7)/1K=3.6mA

2.用NMOS Q5的電流幾乎為0,所以用NMOS省電相較于用三極管不是一個(gè)數(shù)量級(jí)

3.要注意NMOS的Vth,這里選擇低壓導(dǎo)通的NMOS,在1V上下的管子找到了

除了以上幾點(diǎn),用單片機(jī)去驅(qū)動(dòng)NMOS,然后NMOS驅(qū)動(dòng)PMOS會(huì)比用三極管驅(qū)動(dòng)PMOS還有哪些好處?以

及需要注意的地方?



作者: mcza30    時(shí)間: 2021-9-10 16:57
s8050的2、3腳是不是應(yīng)該換一下?
作者: QWE4562012    時(shí)間: 2021-9-10 19:07
mcza30 發(fā)表于 2021-9-10 16:57
s8050的2、3腳是不是應(yīng)該換一下?

對(duì)對(duì) 不好意思  畫錯(cuò)了。。。
作者: TTQ001    時(shí)間: 2021-9-11 09:01
與使用雙極晶體管驅(qū)動(dòng) MOSFET 相比,使用 NMOS 驅(qū)動(dòng) PMOS 有利有弊。 使用 NMOS 驅(qū)動(dòng) PMOS 的最大缺點(diǎn)之一是 NMOS 需要比源極電壓更高的柵極電壓才能開(kāi)啟。
作者: QWE4562012    時(shí)間: 2021-9-13 17:39
TTQ001 發(fā)表于 2021-9-11 09:01
與使用雙極晶體管驅(qū)動(dòng) MOSFET 相比,使用 NMOS 驅(qū)動(dòng) PMOS 有利有弊。 使用 NMOS 驅(qū)動(dòng) PMOS 的最大缺點(diǎn)之一 ...

那還得升壓啊  那豈不是沒(méi)用
作者: QWE4562012    時(shí)間: 2021-9-13 17:40
本帖最后由 QWE4562012 于 2021-9-13 17:42 編輯
TTQ001 發(fā)表于 2021-9-11 09:01
與使用雙極晶體管驅(qū)動(dòng) MOSFET 相比,使用 NMOS 驅(qū)動(dòng) PMOS 有利有弊。 使用 NMOS 驅(qū)動(dòng) PMOS 的最大缺點(diǎn)之一 ...

那還要升壓?jiǎn)?nbsp; ,G柵極的電壓等于源極的電壓不可以嗎?這里源極的電壓不是=0嗎?而G的電壓是3.3V  應(yīng)該沒(méi)問(wèn)題吧
作者: 冰火風(fēng)輪    時(shí)間: 2021-9-13 18:42
3.3v機(jī)不用考慮升壓吧,又不需要推到飽和,
電阻用到百 K 以上比較好




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