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標(biāo)題: 感謝大神指導(dǎo)，現(xiàn)改正電路圖請(qǐng)大神們過(guò)目感激不盡！ [打印本頁(yè)]

作者: 27376054 時(shí)間: 2021-6-20 12:25
標(biāo)題: 感謝大神指導(dǎo)，現(xiàn)改正電路圖請(qǐng)大神們過(guò)目感激不盡！
小白一枚，經(jīng)過(guò)大神們的指點(diǎn)，現(xiàn)在改了下用單片機(jī)IO控制場(chǎng)效應(yīng)管驅(qū)動(dòng)電磁閥的電路，用的是P溝道的2SC136,大神們有的說(shuō)我的光耦輸入電路那個(gè)330電阻和104電容是沒啥用個(gè)，我是看別人的輸入電路自己改的，不知道是否合適，是否真的沒啥用，那個(gè)場(chǎng)效應(yīng)管的驅(qū)動(dòng)電阻換為1K，穩(wěn)壓到15V安全區(qū)域，這樣電路是否可以正常用，還是有什么缺點(diǎn)，跪求指點(diǎn)！

51hei截圖20210620122156.png (82.01 KB, 下載次數(shù): 40)

驅(qū)動(dòng)電磁閥

作者: 27376054 時(shí)間: 2021-6-20 12:26
懇請(qǐng)大神們指導(dǎo)

作者: taotie 時(shí)間: 2021-6-20 13:09
R1處加10k泄放電阻對(duì)地，使光耦關(guān)斷時(shí)mos管電容電荷快速釋放

作者: 27376054 時(shí)間: 2021-6-20 13:15

taotie 發(fā)表于 2021-6-20 13:09
R1處加10k泄放電阻對(duì)地，使光耦關(guān)斷時(shí)mos管電容電荷快速釋放

是在柵極處加10K電阻嗎，還是在光耦的三極管發(fā)射極接10K電阻啊，

作者: taotie 時(shí)間: 2021-6-20 13:23
當(dāng)然是靠近mos管柵極處

作者: Y_G_G 時(shí)間: 2021-6-20 13:23
我也是神奇了?
1:R9的作用是什么?
2:為何對(duì)光耦如此的執(zhí)著?
3:R1的大小改變對(duì)MOS管有什么意義呢?
4:為什么一定要用P溝道的?N溝道它不行嗎?
5:P3.2為什么一定要用上拉電阻呢?只用一個(gè)限流電阻它不行嗎?
6:這是P溝道的MOS管,你那15V的穩(wěn)壓對(duì)于MOS管的G極電壓是沒有穩(wěn)壓作用的,你這個(gè)是把G極電壓固定在24V-15V=9V,這G極電壓的計(jì)算方法和N溝道的計(jì)算方法是不一樣的
7:這104電容又有什么意義呢?

作者: taotie 時(shí)間: 2021-6-20 13:28
你用Proteus 仿真驗(yàn)證一下這個(gè)電路不行再修改

作者: 27376054 時(shí)間: 2021-6-20 13:57

Y_G_G 發(fā)表于 2021-6-20 13:23
我也是神奇了?
1:R9的作用是什么?
2:為何對(duì)光耦如此的執(zhí)著?

回答大神

1：R9是超別人的電路來(lái)的，2：想用光耦實(shí)現(xiàn)輸出隔離3：R1到底多大很是我是小白4：手里有幾個(gè)2SC136,沒合適的N溝道，5:680串聯(lián)330 5V分壓到電容兩端1.5V左右是光耦的工作電壓，這個(gè)輸入加電阻電容的光耦電路，我在別處找的，人家說(shuō)抗干擾比單純串電阻好，可能我是小白被忽悠啦6：具體我分析啦下穩(wěn)壓的電路是畫錯(cuò)啦，一會(huì)改正。7:那個(gè)104電容看別人說(shuō)抗干擾

作者: 27376054 時(shí)間: 2021-6-20 13:58
回答大神

作者: 27376054 時(shí)間: 2021-6-20 13:58

taotie 發(fā)表于 2021-6-20 13:28
你用Proteus 仿真驗(yàn)證一下這個(gè)電路不行再修改

不會(huì)那軟件

作者: yabiyff 時(shí)間: 2021-6-20 14:08
為什么要加R5和R9限流？左邊直接一個(gè)共射三極管驅(qū)動(dòng)光耦，右邊直接接場(chǎng)效應(yīng)管

作者: Y_G_G 時(shí)間: 2021-6-20 14:24
R9和104完全不需要,在PC817的數(shù)據(jù)手冊(cè)中也有電路可以參考,這R9就是多余的
所謂隔離,因?yàn)槲铱吹侥汶娐返牡?如果單片機(jī)供電和24V共用一個(gè)地,就沒有隔離的必要
如果單片機(jī)是一個(gè)電源,24V是另外一個(gè)電源,而且是沒有線相通的,那光耦才有隔離的作用
電磁閥是個(gè)機(jī)械的東西,開啟和關(guān)斷的速度相對(duì)于MOS管來(lái)說(shuō),時(shí)間是非常長(zhǎng)的,沒有速度要求,所以,R1的大小可以是從1K到100K的電阻,隨便用,有哪個(gè)就用哪個(gè),這東西在實(shí)踐中就可以試一下
至于怎么穩(wěn)定VGS,你可以參考一下PNP三極管,原理是差不多的

作者: taotie 時(shí)間: 2021-6-20 14:29

555333.gif (144.23 KB, 下載次數(shù): 31)

作者: dzbj 時(shí)間: 2021-6-20 15:08
這電路太累贅了而且我也想問你為啥那么喜歡光耦

作者: 五福臨門 時(shí)間: 2021-6-20 16:02
想不到樓主自詡小白也這樣厲害，小的戰(zhàn)五渣已經(jīng)無(wú)地自容了！

作者: 老愚童63 時(shí)間: 2021-6-20 17:04
R9確實(shí)沒有必要存在！光耦的初級(jí)只要控制初級(jí)電流和反向電壓就可以了，5V供電而且沒有反向電壓，所以，R9完全沒有必要存在。

作者: 老愚童63 時(shí)間: 2021-6-20 17:09
這個(gè)改進(jìn)電路可能不行！MOS管的導(dǎo)通由GS電壓決定，穩(wěn)壓管的加入使得GS之間存在約9V的GS電壓，可能導(dǎo)致MOS管不受控而直接導(dǎo)通

作者: 27376054 時(shí)間: 2021-6-20 19:22

五福臨門發(fā)表于 2021-6-20 16:02
想不到樓主自詡小白也這樣厲害，小的戰(zhàn)五渣已經(jīng)無(wú)地自容了！

我真是小白，就是懂點(diǎn)皮毛菜的一批還好友論壇大神們幫忙感激不盡

作者: nanfuB 時(shí)間: 2021-6-20 23:12
P_MOS 管不是這樣子工作，（對(duì)于G極，你可以聯(lián)象一下PNP管的基極），在Vsg>夾斷電壓時(shí)會(huì)導(dǎo)通，又加個(gè)15V的穩(wěn)壓極管鉗位，那肯定是一起直導(dǎo)通的。如果一定想用PMOS管，在SG之間并個(gè)電阻，保證g為高電平，G還要通過(guò)一個(gè)電阻經(jīng)光耦到地，光耦導(dǎo)通時(shí)將G的電平拉低。但這樣耗電比較大。最好象前面的大神們說(shuō)的用NMOS管。

作者: hz_dyg 時(shí)間: 2021-6-21 14:43
本帖最后由 hz_dyg 于 2021-6-22 14:29 編輯

。。。。

無(wú)標(biāo)題.png (81.71 KB, 下載次數(shù): 32)

作者: 陳曉曉_ 時(shí)間: 2021-6-22 00:53
穩(wěn)壓二極管穩(wěn)壓值15V，VCC為24V。常態(tài)下mos的G極也為15V，單是源極為24V，作為P溝道，壓差已經(jīng)達(dá)到了9V，這只管子關(guān)不掉，永遠(yuǎn)出于導(dǎo)通狀態(tài)。

作者: hz_dyg 時(shí)間: 2021-6-22 14:43
原理不搞清楚，瞎畫有用嗎？

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