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標題: A09T/A29T_ASEMI​高效貼片MOSFET [打印本頁]
作者: 強元芯電子    時間: 2020-11-18 15:05
標題: A09T/A29T_ASEMI​高效貼片MOSFET

編輯：LL
ASEMI低壓MOS管 A09T/ 3400 30V的N道MOS管
型號：A09T / 3400
封裝：SOT-23
漏極電流（VDS）：5.8A
漏源電壓（ID）：30V
工作溫度：-55℃~150℃
封裝形式：貼片
種類：場效應(yīng)晶體管（MOSFET/MOS管）
品牌：ASEMI
在對稱的MOS管中，對source和drain的標注有一點任意性。定義上，載流子流出source，流入drain。因此Source和drain的身份就靠器件的偏置來決定了。有時晶體管上的偏置電壓是不定的，兩個引線端就會互相對換角色。這種情況下，電路設(shè)計師必須認定一個是drain另一個是source。
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ASEMI低壓MOS管 A29T/ 3402 N道MOS管 30V
型號：A29T / 3402
封裝：SOT-23
漏極電流（VDS）：4A
漏源電壓（ID）：30V
工作溫度：-55℃~150℃
封裝形式：貼片
種類：場效應(yīng)晶體管（MOSFET/MOS管）
品牌：ASEMI
晶體管有N型channel所有它稱為N-channel MOS管，或NMOS。P-channel MOS(PMOS)管也存在，是一個由輕摻雜的N型BACKGATE和P型source和drain組成的PMOS管。






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