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標題: 單片機開漏輸出上拉至12V的配置問題 [打印本頁]

作者: ADMIN_ALLENY 時間: 2020-11-11 14:38
標題: 單片機開漏輸出上拉至12V的配置問題
手里有一個N溝道的MOS管，想把它配置成開關用，其導通電壓信號由單片機送出，但是MOS管導通時的漏極（D）電壓要求為12V，因為單片機輸出只有5V,所以想把IO口配置為開漏輸出，然后外部用10K電阻上拉到12V后再接MOS管的漏極。想問一下這樣做有沒有風險，會不會損壞單片機？希望大神予以賜教，感謝。

作者: T_Trigger 時間: 2020-11-11 15:24
原理上沒有什么問題，注意開關速度不要太快。如果太快由于CGD的耦合電容，可能把IO口燒壞。

作者: Y_G_G 時間: 2020-11-11 16:00
但凡是有點經驗的,都不會給單片機的IO施加高于單片機VCC電源的電壓
從原理上來說,把單片機的IO設定為OD型輸出是可以的,但這本身也是要單片機運行代碼之后才生效的,單片機上電復位就是默認值,很有可能會燒壞單片機的IO
一般是用一個三極管或者MOS來驅動的,而且,個人感覺一般的5V單片機IO足以驅動大多數的NMOS管了,不是高頻的話,不用12V來驅動的

作者: wulin 時間: 2020-11-11 16:06
一般單片機端口施加電壓不得大于VCC+0.5V。樓主所述NMOS管VGS±12V是極限指標，通常低壓NMOS管VGS 起始導通電壓2~3V，4.5V即可深度飽和導通。就算耐壓幾百V的MOS管，典型應用電路的驅動電壓也不過10V。

作者: weiweimao1 時間: 2020-11-11 16:27
可采用光耦隔離電路實現。

1.png (14.81 KB, 下載次數: 103)

作者: 軒墨蘭 時間: 2020-11-11 16:47
原理上沒問題，注意設置IO口的工作模式

作者: ADMIN_ALLENY 時間: 2020-11-11 16:48
本帖最后由 ADMIN_ALLENY 于 2020-11-11 16:50 編輯

Y_G_G 發表于 2020-11-11 16:00
但凡是有點經驗的,都不會給單片機的IO施加高于單片機VCC電源的電壓
從原理上來說,把單片機的IO設定為OD型 ...

很感謝您的指點，本人小白，作為初學者沒啥經驗。是這樣，單片機的IO口是可以驅動導通NMOS,我這邊是用想用四個NMOS當做H橋電路來驅動12V電機，當Vg端用IO口來驅動時，發現MOS管S端電壓很小，只有3點幾伏，電機速度很慢。然后發現通過增大Vg的電壓，然后S端的電壓也隨之變大，所以我才想把IO口模式設置為開漏，上拉到12V，就是想把Vs變大，可是測量的Vs只有5.7伏，拉不到12V。C:\Users\Administrator\Desktop

20190127141937246.png (199.92 KB, 下載次數: 87)

作者: weijoyer 時間: 2020-11-11 17:02
可以用三極管將12V電壓與IO口隔離

作者: changhz 時間: 2020-11-11 22:47
開關多數用P通道來開關正極.N通道的只能開關負極

作者: Y_G_G 時間: 2020-11-12 11:51

ADMIN_ALLENY 發表于 2020-11-11 16:48
很感謝您的指點，本人小白，作為初學者沒啥經驗。是這樣，單片機的IO口是可以驅動導通NMOS,我這邊是用想 ...

百度一下H橋電路,基本就能找到電路的
初學最好就是直接買成品的馬達驅動,盡可能的保證問題不出現在硬件
PMOS管和NMOS管差不多是等效于PNP和NPN
不同的是,MOS管都自帶(寄生)一個二極管的,看元件符號就知道了,其它的用法跟三極管是一樣的以下是一個用三極管驅動NMOS管的電路,低電導通,但沒有實際使用過,不知道MOS管會不會發熱,你可以試一下,一個H橋就是4個相同的電路

作者: lovexulu 時間: 2020-11-12 16:17
本帖最后由 lovexulu 于 2020-11-12 16:19 編輯

不可以！三極管隔離可以，但因為你手里的管子是N溝，故驅動要2只三極管隔離。

作者: lovexulu 時間: 2020-11-12 18:43

Y_G_G 發表于 2020-11-12 11:51
百度一下H橋電路,基本就能找到電路的
初學最好就是直接買成品的馬達驅動,盡可能的保證問題不出現在硬件
...

這個電路貌似不一定能正常工作，因為GS 電壓（1，2腳）并不一定能大于閾值電壓。mos管會工作在放大態，會發熱。負載會抬高S腳電壓。

作者: lovexulu 時間: 2020-11-12 18:57

低壓驅動高壓非隔離式，N溝管。驅動電流小于1ma。

作者: liuzx66 時間: 2020-11-12 19:01
單片機IO直接12V是不行的。仔細看一下datasheet就知道，IO口是有一個最大電壓的，一般不超過VCC+0.3
或者VCC+0.7，超過會有燒毀IO腳或者整個MCU的風險

作者: dreamtek 時間: 2020-11-12 23:07
小電流的h橋一般上管用P下管用N比較多，如果都使用N管，一般上管需要專門的帶有升壓/電荷泵功能的mos驅動芯片來產生超過電源電壓的G級驅動電壓，否則容易讓管子開通不完全，進入線性區導致損耗過大燒毀的；回到題目的問題，單片機一般不能這么使用，開漏模式施加超過io耐壓的電壓會損壞mcu，對于電源電壓12V沒超過mos的vgs耐壓情況，可以把上管換為p管，并在單片機io后加cd4011用來驅動，參考附件電路

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