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標題: 像2301那種mos導通后，VDS電壓是0嗎？也就是沒有損耗?仿真是沒有損耗的 [打印本頁]

作者: QWE4562012 時間: 2020-4-16 15:45
標題: 像2301那種mos導通后，VDS電壓是0嗎？也就是沒有損耗?仿真是沒有損耗的
如題

作者: cjjdemon 時間: 2020-4-16 16:14
怎么可能沒有損耗，都有導通內阻的，規格書上會定義。

作者: 1217724934 時間: 2020-4-16 17:00
mos的導通損耗和通過的電流和mos的內阻有關，可以自己計算下

作者: 學習單片機lq 時間: 2020-4-16 17:36
仿真是理想狀態，琛想和現實的差別有些時候還很大

作者: lfc315 時間: 2020-4-16 18:12
導通后，DS之間相當于是個小電阻，具體有多小，看規格書，有毫歐級的，也有歐姆級的。

作者: wulin 時間: 2020-4-17 08:51
新型MOS管的飽和導通內阻在幾毫歐到幾十毫歐，做低頻開關其損耗很小。但用于高頻就不同了，隨頻率升高損耗也增大。

作者: wulin 時間: 2020-4-17 08:52
新型MOS管的飽和導通內阻在幾毫歐到幾十毫歐，做低頻開關其損耗很小。但用于高頻就不同了，隨頻率升高損耗也增大。

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