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標題: MOS管發熱異常,排查原因來優化設備運行 [打印本頁]

作者: 漸行漸遠d    時間: 2019-1-17 14:23
標題: MOS管發熱異常,排查原因來優化設備運行

在電路設計的時候常常會發生MOS管發熱的情況,而MOS管發熱說明了它正在錯誤運行。為了避免MOS管發熱危害到整體設備的運行,所以在再次運行之前需要先排查出MOS管發熱的原因。MOS管發熱無非是這幾種情況,接下來30年經驗的MOS管廠家“飛虹”為大家分享一下。


一、電路設計


讓MOS管工作在線性的工作狀態,而不是在開關狀態。如果N-MOS做開關,G級電壓要比電源高幾V,才能完全導通,P-MOS則相反。沒有完全打開而壓降過大造成功率消耗,等效直流阻抗比較大,壓降增大,所以U*I也增大,損耗就意味著發熱。





二、工作頻率


這是在調試過程中比較常見的現象,降頻主要由兩個方面導致。輸入電壓和負載電壓的比例小、系統干擾大。對于前者,注意不要將負載電壓設置的太高,雖然負載電壓高,效率會高點。對于后者,可以嘗試以下幾個方面:


1、將最小電流設置的再小點


2、布線干凈點,特別是sense這個關鍵路徑


3、將電感選擇的小點或者選用閉合磁路的電感


4、加RC低通濾波吧,這個影響有點不好,C的一致性不好,偏差有點大,不過對于照明來說應該夠了。無論如何降頻沒有好處,只有壞處,所以一定要解決。


有些時候,MOS管頻率太高,主要是有時過分追求體積,導致頻率提高,MOS管上的損耗增大了,所以發熱也加大。





三、散熱設計


電路板沒有做好足夠的散熱設計,電流太高,MOS管標稱的電流值,一般需要良好的散熱才能達到。所以ID小于最大電流,也可能發熱嚴重,需要足夠的輔助散熱片。






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