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標題: 硅基成電路設計PPT課件下載 [打印本頁]

作者: 鳳的情緒 時間: 2018-11-12 20:49
標題: 硅基成電路設計PPT課件下載
硅基成電路工藝基礎  共九章  很詳細的！
      本課程主要講述硅集成電路制造的各單項工藝，介紹各項工藝的物理基礎和基本原理，主要內容包括硅的晶體結構、氧化、擴散、離子注入、物理氣相沉積、化學氣相沉積、外延、光刻與刻蝕、金屬化與多層互連，最后簡要介紹集成電路的工藝集成。
      本課程也是從事微電子相關領域（如太陽電池、半導體器件、激光器、LED和TFT等）的研究和工作的基礎課程。

通過學習本課程，可以：
了解并掌握常用的半導體工藝技術；
能夠簡要敘述集成電路每一個工藝過程；
了解基本的集成電路制備過程；
能夠從事半導體工藝相關的工作。

外延：是指在單晶襯底(如硅片)上，按襯底晶向生長單晶薄膜的工藝過程。生長有外延層的硅片稱為外延片。
同質外延：生長的外延層和襯底是同一種材料。
異質外延：外延生長的薄膜與襯底材料不同，或者生長化學組分、物理結構與襯底完全不同的外延層，如SOS 技術（在藍寶石或尖晶石上生長硅）。
根據向襯底輸送原子的方式，外延生長分為三種類型：
氣相外延(VPE)、液相外延(LPE)和固相外延(SPE)。
在硅工藝中主要采用氣相外延技術，能夠很好地控制外延層厚度、雜質濃度、晶體完整性。缺點是必須在高溫下進行，加重了擴散效應和自摻雜效應，影響對外延層摻雜的控制。

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