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標(biāo)題: 51單片機(jī)個(gè)人學(xué)習(xí)筆記及經(jīng)驗(yàn)（IO口結(jié)構(gòu)及上拉下拉電阻）-連載7 [打印本頁]

作者: 七月雨 時(shí)間: 2018-10-4 19:30
標(biāo)題: 51單片機(jī)個(gè)人學(xué)習(xí)筆記及經(jīng)驗(yàn)（IO口結(jié)構(gòu)及上拉下拉電阻）-連載7
日常更新7！

單片機(jī)IO口的結(jié)構(gòu)：

這里為了嚴(yán)謹(jǐn)，T1、T2是MOS管而非三極管，但功能和用法與三極管完全一樣：T1為PNP型，T2為NPN型。三極管與MOS管的不同之處在于三極管靠電流導(dǎo)通，而MOS管靠電壓導(dǎo)通。

準(zhǔn)雙向IO：

內(nèi)部輸出1經(jīng)反向后為0，不導(dǎo)通，IO與上拉電阻相連，為高電平。

內(nèi)部輸出0經(jīng)反向后為1，單通。IO導(dǎo)通到GND，為低電平。

開漏輸出：

比如單片機(jī)的P0口，沒有內(nèi)部的上拉電阻，這時(shí)候要想正常的使用IO控制，就必須在外部加上拉電阻。如果不接，那么IO將處于不確定狀態(tài)。

強(qiáng)推挽輸出：

上拉電阻很小，或者直接沒有上拉電阻，有著很強(qiáng)的輸出輸入電流的能力。

內(nèi)部輸出1，經(jīng)反向?yàn)?，T1導(dǎo)通，IO為高電平；

內(nèi)部輸出0，經(jīng)反向?yàn)?1，T1不導(dǎo)通，T2導(dǎo)通，接地，IO為低電平。

高阻態(tài)：

電平狀態(tài)雖它后面接的東西而定，一般處于懸空狀態(tài)，理論上電阻值無窮大。

如何設(shè)置IO口的狀態(tài)：

可通過設(shè)置PXM1：PXM0的值：
PXM1：PXM0
0 0 準(zhǔn)雙向口（傳統(tǒng)IO）
0 1 推挽輸出（強(qiáng)上拉，電流可達(dá)20mA,盡量少用）
1 0 僅為輸入（高阻）
1 1 開漏，如傳統(tǒng)8051的P0口

例：C語言中直接賦值
P1M0 = 0xC0;
P1M1 = 0xA0;//P1.7開漏，P1.6高阻，P1.5強(qiáng)推挽輸出，其他準(zhǔn)雙向IO口

上下拉電阻：

上拉電阻就是將不確定的信號通過一個(gè)電阻拉到高電平，同時(shí)此電阻起到一個(gè)限流的作用，下拉就是下拉到低電平。
1、OC門要輸出高電平，外部必須加上拉電阻。
2、加大普通IO口的驅(qū)動能力。
3、起到限流的作用。
4、抵抗電磁干擾。

上下拉電阻的選取原則：

1、從降低功耗方面考慮應(yīng)該足夠大，因?yàn)殡娮柙酱螅娏髟叫　?/font>
2、從確保足夠的引腳驅(qū)動能力考慮應(yīng)該足夠小，電阻越小，電流才能越大。
3、開漏輸出時(shí)，過大的上拉電阻會導(dǎo)致信號上升沿變緩。

過大的上拉電阻會導(dǎo)致信號變緩。

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07-IO口結(jié)構(gòu)與上下拉電阻.docx (53.29 KB, 下載次數(shù): 19)

作者: bzaa110 時(shí)間: 2019-9-19 16:03
P1M1 = 0xA0;//P1.7開漏，P1.6高阻，P1.5強(qiáng)推挽輸出，其他準(zhǔn)雙向IO口
這個(gè)地方P1.6&P1.5 反了

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