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標(biāo)題: TSP5450中文數(shù)據(jù)手冊下載(Word格式文檔)PWM轉(zhuǎn)換器 [打印本頁]
作者: gunc    時(shí)間: 2018-5-17 23:39
標(biāo)題: TSP5450中文數(shù)據(jù)手冊下載(Word格式文檔)PWM轉(zhuǎn)換器
TPS5450是一款高輸出電流PWM轉(zhuǎn)換器，集成了一個(gè)低電阻，高端N溝道MOSFET。 具有列出功能的基板包含一個(gè)高性能電壓誤差放大
器，可在瞬態(tài)條件下提供嚴(yán)格的電壓調(diào)節(jié)精度; 一個(gè)欠壓鎖定電路，用于在輸入電壓達(dá)到5.5 V之前防止啟動(dòng); 一個(gè)內(nèi)部設(shè)置的慢
啟動(dòng)電路來限制浪涌電流; 和一個(gè)電壓前饋電路，以改善瞬態(tài)響應(yīng)。 使用ENA引腳，
寬輸入電壓范圍：5.5 V至36 V
高達(dá)5 A連續(xù)（6 A峰值）輸出電流
高效率大于90％，使能達(dá)到110mΩ
集成MOSFET開關(guān)
寬輸出電壓范圍：可調(diào)低至1.22 V
初始準(zhǔn)確度為1.5％
5-A，寬輸入范圍，降壓SWIFT™轉(zhuǎn)換器
特征
•寬輸入電壓范圍：5.5 V至36 V
•寬輸出電壓范圍：向下可調(diào)
以1.5％的初始準(zhǔn)確度電流為1.22 V.
•110mΩ集成MOSFET開關(guān)實(shí)現(xiàn)了高于90％的高效率
•寬輸出電壓范圍：在1.5％初始準(zhǔn)確度下可調(diào)低至1.22 V.
•內(nèi)部補(bǔ)償最大限度地減少外部元件數(shù)量
•固定500 kHz開關(guān)頻率，適用于小尺寸濾波器
•18μA關(guān)斷電源電流
•通過輸入電壓前饋改善線路調(diào)整和瞬態(tài)響應(yīng)
•系統(tǒng)受過流限制，過壓保護(hù)和熱關(guān)斷保護(hù)
•-40°C至125°C工作結(jié)溫范圍
•采用小型散熱增強(qiáng)型8引腳SOIC PowerPAD™封裝
應(yīng)用
•高密度負(fù)載點(diǎn)穩(wěn)壓器
•液晶顯示器，等離子顯示器
•電池充電器
•12-V / 24-V分布式電源系統(tǒng)
描述
作為SWIFT™DC / DC穩(wěn)壓器系列的一員，TPS5450是一款高輸出電流PWM轉(zhuǎn)換器，集成了一個(gè)低阻高端N溝道MOSFET。具有列出功能的基板包含一個(gè)高性能電壓誤差放大器，可在瞬態(tài)條件下提供嚴(yán)格的電壓調(diào)節(jié)精度;一個(gè)欠壓鎖定電路，用于在輸入電壓達(dá)到5.5 V之前防止啟動(dòng);一個(gè)內(nèi)部設(shè)置的慢啟動(dòng)電路來限制浪涌電流;和一個(gè)電壓前饋電路，以改善瞬態(tài)響應(yīng)。使用ENA引腳，關(guān)斷電源電流通常會(huì)降至18μA。其他功能還包括高電平有效使能，過流限制，過壓保護(hù)和熱關(guān)斷。為了降低設(shè)計(jì)復(fù)雜性和外部元件數(shù)量，TPS5450反饋回路在內(nèi)部進(jìn)行了補(bǔ)償。
TPS5450器件采用散熱增強(qiáng)型8引腳SOIC PowerPAD™封裝。 TI提供評估模塊和軟件工具以提供幫助
實(shí)現(xiàn)高性能電源設(shè)計(jì)
以滿足積極的設(shè)備開發(fā)周期。
請注意，關(guān)于可用性，標(biāo)準(zhǔn)保修和在德克薩斯州關(guān)鍵應(yīng)用中使用的重要通知
儀器半導(dǎo)體產(chǎn)品和免責(zé)聲明出現(xiàn)在本數(shù)據(jù)表的末尾。
SWIFT，PowerPAD是德州儀器的商標(biāo)。

這些器件具有有限的內(nèi)置ESD保護(hù)。 導(dǎo)線應(yīng)短接在一起或?qū)⑵骷胖迷趯?dǎo)電泡沫中
在儲(chǔ)存或處理期間防止靜電損壞MOS門。
訂購信息
絕對最大額定值
超過工作自由空氣溫度范圍（除非另有說明）（1）（2）
耗散額定值（1）（2）
推薦工作條件
電氣特性
TJ = -40°C至125°C，VIN = 5.5 V至36 V（除非另有說明）
引腳分配
DDA包裝（頂視圖）
終端功能
典型特征
振蕩頻率與結(jié)溫的關(guān)系
非開關(guān)靜態(tài)電流與結(jié)溫
關(guān)斷靜態(tài)電流與輸入電壓
參考電壓與結(jié)溫
電阻與結(jié)溫的關(guān)系
內(nèi)部慢速起動(dòng)時(shí)間與結(jié)溫
最低可控制時(shí)間與結(jié)溫

最低可控占空比與結(jié)溫
應(yīng)用信息
功能框圖

詳細(xì)說明
振蕩器頻率
內(nèi)部自由運(yùn)行的振蕩器將PWM開關(guān)頻率設(shè)置為500 kHz。 500 kHz開關(guān)
頻率允許較小的輸出電感以滿足相同的輸出紋波要求，從而實(shí)現(xiàn)較小的輸出
電感器。
電壓參考
電壓參考系統(tǒng)通過縮放溫度輸出來產(chǎn)生精確的參考信號(hào)
穩(wěn)定的帶隙電路。 帶隙和縮放電路在生產(chǎn)測試期間被修整為輸出
室溫下為1.221 V.
啟用（ENA）和內(nèi)部慢啟動(dòng)
ENA引腳提供穩(wěn)壓器的電氣開/關(guān)控制。 一旦ENA引腳電壓超過閾值
電壓，穩(wěn)壓器開始工作，內(nèi)部慢啟動(dòng)開始上升。 如果ENA引腳電壓被拉
低于閾值電壓，穩(wěn)壓器停止開關(guān)，內(nèi)部慢啟動(dòng)復(fù)位。 連接引腳
接地或任何低于0.5 V的電壓將禁用穩(wěn)壓器并激活關(guān)斷模式。該
TPS5450在關(guān)斷模式下的靜態(tài)電流通常為18μA。
ENA引腳具有內(nèi)部上拉電流源，允許用戶浮動(dòng)ENA引腳。 如果是應(yīng)用程序
需要控制ENA引腳，使用開漏或集電極開路輸出邏輯與引腳連接。 限制
啟動(dòng)浪涌電流，一個(gè)內(nèi)部慢啟動(dòng)電路用于將參考電壓從0 V上升至其
最終值，線性。 內(nèi)部慢啟動(dòng)時(shí)間通常為8 ms。

應(yīng)用信息（續(xù)）
欠壓鎖定（UVLO）
TPS5450集成了一個(gè)欠壓閉鎖電路，以防止VIN（輸入端）
電壓）低于UVLO啟動(dòng)電壓閾值。 在加電期間，內(nèi)部電路保持不活動(dòng)狀態(tài)
內(nèi)部慢啟動(dòng)接地，直到VIN超過UVLO啟動(dòng)閾值電壓。 一旦UVLO開始
達(dá)到閾值電壓時(shí)，內(nèi)部慢啟動(dòng)被釋放并且器件啟動(dòng)開始。 設(shè)備運(yùn)行
直到VIN降至UVLO停止閾值電壓以下。 UVLO比較器的典型滯后是330
毫伏。
升壓電容（BOOT）
在BOOT引腳和PH引腳之間連接一個(gè)0.01μF低ESR陶瓷電容。 這個(gè)電容提供了
用于高側(cè)MOSFET的柵極驅(qū)動(dòng)電壓。 推薦使用X7R或X5R級(jí)電介質(zhì)
穩(wěn)定的溫度值。
輸出反饋（VSENSE）和內(nèi)部補(bǔ)償
調(diào)節(jié)器的輸出電壓通過反饋外部電阻分壓器的中點(diǎn)電壓來設(shè)置
網(wǎng)絡(luò)連接到VSENSE引腳。 在穩(wěn)態(tài)操作中，VSENSE引腳電壓應(yīng)等于電壓
參考1.221 V.
TPS5450采用內(nèi)部補(bǔ)償來簡化穩(wěn)壓器設(shè)計(jì)。 自TPS5450使用
電壓模式控制，已經(jīng)在芯片上設(shè)計(jì)了3型補(bǔ)償網(wǎng)絡(luò)以提供高分頻
頻率和高相位裕度以獲得良好的穩(wěn)定性。 見內(nèi)部補(bǔ)償網(wǎng)絡(luò)
應(yīng)用程序部分了解更多詳情
電壓前饋
盡管輸入有任何變化，但內(nèi)部電壓前饋可提供恒定的直流功率級(jí)增益
電壓。 這極大地簡化了穩(wěn)定性分析并改善了瞬態(tài)響應(yīng)。 電壓前饋
與輸入電壓成反向改變峰值斜坡電壓，使調(diào)制器和功率級(jí)增益
在前饋增益處恒定，即
前饋增益 =
TPS5450的典型前饋增益為25。
脈寬調(diào)制（PWM）控制
該穩(wěn)壓器采用固定頻率脈寬調(diào)制（PWM）控制方法。 首先，反饋
電壓（VSENSE引腳電壓）通過高增益誤差放大器與恒定電壓基準(zhǔn)進(jìn)行比較
補(bǔ)償網(wǎng)絡(luò)產(chǎn)生一個(gè)誤差電壓。 然后，誤差電壓與斜坡電壓進(jìn)行比較
PWM比較器。 通過這種方式，誤差電壓幅度被轉(zhuǎn)換為占空比的脈沖寬度
周期。 最后，PWM輸出被饋送到柵極驅(qū)動(dòng)電路以控制高端MOSFET的導(dǎo)通時(shí)間。
過流限制
通過檢測高端MOSFET兩端的漏極 - 源極電壓來實(shí)現(xiàn)過流限制。該
然后將漏源電壓與表示過電流閾值極限的電壓電平進(jìn)行比較。 如果
漏極 - 源極電壓超過過流閾值限制，過電流指示器設(shè)置為真。 系統(tǒng)
將忽略在每個(gè)周期開始時(shí)的前沿消隱時(shí)間的過流指示器以避免
任何開機(jī)噪音故障。
一旦過流指示器設(shè)置為真，就會(huì)觸發(fā)過流限制。 高端MOSFET被關(guān)閉
傳播延遲后的周期的其余部分。 過流限制模式稱為逐周期電流
限制。

應(yīng)用信息（續(xù)）
有時(shí)在嚴(yán)重的過載情況下，如短路，過電流失控仍可能發(fā)生
當(dāng)使用逐周期電流限制時(shí)。 使用第二種電流限制模式，即打嗝模式
過流限制。 在打嗝模式下的過流限制中，參考電壓接地，
高壓側(cè)MOSFET在打嗝時(shí)間關(guān)閉。 一旦打嗝持續(xù)時(shí)間完成，調(diào)節(jié)器
在慢啟動(dòng)電路的控制下重新啟動(dòng)。
過壓保護(hù)
TPS5450具有過壓保護(hù)（OVP）電路，可以在恢復(fù)時(shí)盡量減少電壓過沖
輸出故障狀態(tài)。 OVP電路包括一個(gè)過壓比較器來比較VSENSE引腳電壓
和112.5％x VREF的閾值。 一旦VSENSE引腳電壓高于閾值，高端
MOSFET將被強(qiáng)制關(guān)閉。 當(dāng)VSENSE引腳電壓下降低于閾值時(shí)，高端
MOSFET將再次啟用。
熱關(guān)機(jī)
TPS5450通過內(nèi)部熱關(guān)斷電路保護(hù)自己免受過熱。 如果路口
溫度超過熱關(guān)斷跳閘點(diǎn)，參考電壓接地并且高端
MOSFET關(guān)閉。 交點(diǎn)時(shí)，該部分在慢啟動(dòng)電路的控制下自動(dòng)重啟
溫度比熱關(guān)斷跳閘點(diǎn)低14°C。
PCB布局
將一個(gè)低ESR陶瓷旁路電容連接到VIN引腳。應(yīng)該小心使環(huán)路面積最小化
由旁路電容連接，VIN引腳和TPS5450接地引腳組成。做到這一點(diǎn)的最佳方式
是從靠近VIN軌跡的設(shè)備下方延伸頂部接地區(qū)域，并放置旁路
電容盡可能靠近VIN引腳。建議的最小旁路電容為4.7μF
陶瓷與X5R或X7R電介質(zhì)。
在IC正下方的頂層應(yīng)該有一個(gè)接地區(qū)域，并有一個(gè)暴露的連接區(qū)域
到PowerPAD。使用過孔將此接地區(qū)域連接到任何內(nèi)部接地層。使用額外的過孔
輸入和輸出濾波電容的接地端也是如此。 GND引腳應(yīng)該連接到PCB的地
將其連接到設(shè)備下面的地面區(qū)域，如下所示。
PH引腳應(yīng)連接到輸出電感，鉗位二極管和啟動(dòng)電容。由于PH連接是
開關(guān)節(jié)點(diǎn)，電感應(yīng)該非常靠近PH引腳和PCB導(dǎo)體的面積
最小化以防止過度的電容耦合。鉗位二極管也應(yīng)放置在設(shè)備附近
以最小化輸出電流環(huán)路面積。在相位節(jié)點(diǎn)和BOOT引腳之間連接啟動(dòng)電容
如圖所示。保持啟動(dòng)電容靠近IC，并盡量減少導(dǎo)體走線長度。組件
展示的展示位置和連接效果良好，但其他連接路線也可能有效。
如圖所示，在VOUT走線和GND之間連接輸出濾波電容。保持這一點(diǎn)很重要
由PH引腳，Lout，Cout和GND形成的環(huán)路盡可能小。
使用電阻分壓器網(wǎng)絡(luò)將VOUT走線連接到VSENSE引腳，以設(shè)置輸出電壓。不要
將此跟蹤路線與PH跡線靠得太近。由于IC封裝和器件引腳的大小，跡線
可能需要在輸出電容下進(jìn)行路由。或者，路由可以在替代層完成，如果a
不希望輸出電容下的跡線。
如果使用圖9所示的接地方案，請使用通向不同層的路徑連接到ENA
銷。
圖10. TPS5450焊盤圖案
應(yīng)用電路
圖11顯示了典型TPS5450應(yīng)用的原理圖。 TPS5450可以提供高達(dá)5 A的輸出
額定輸出電壓為5 V時(shí)的電流。對于正確的散熱性能，暴露的PowerPAD™
在設(shè)備下方必須焊接到印刷電路板上。
設(shè)計(jì)程序
以下設(shè)計(jì)程序可用于選擇TPS5450的元件值。 或者，
SWIFT™Designer軟件可用于生成完整的設(shè)計(jì)。 SWIFT™Designer軟件
使用迭代設(shè)計(jì)過程并在生成一個(gè)組件時(shí)訪問組件的全面數(shù)據(jù)庫
設(shè)計(jì)。 本節(jié)簡要介紹了設(shè)計(jì)過程。
要開始設(shè)計(jì)過程，必須確定一些參數(shù)。 設(shè)計(jì)師需要知道的
以下：
•輸入電壓范圍
• 輸出電壓
•輸入紋波電壓
•輸出紋波電壓
•輸出電流額定值
• 工作頻率
設(shè)計(jì)參數(shù)
對于此設(shè)計(jì)示例，請使用以下內(nèi)容作為輸入?yún)?shù)：
開關(guān)頻率
TPS5450的開關(guān)頻率在內(nèi)部設(shè)置為500 kHz。 無法調(diào)整切換
頻率。
輸入電容器
TPS5450需要一個(gè)輸入去耦電容，并根據(jù)應(yīng)用情況提供一個(gè)大容量輸入電容。
推薦的最小去耦電容為4.7μF。 高品質(zhì)的陶瓷型號(hào)X5R或X7R是
需要。 對于某些應(yīng)用，只要輸入電壓可以使用較小值的去耦電容
并且不會(huì)超過電流紋波額定值。 額定電壓必須大于最大輸入電壓，
包括波紋。
該輸入紋波電壓可以近似為公式2：
IOUT（MAX）
是最大負(fù)載電流，fSW是開關(guān)頻率，CIN是輸入電容值和
ESRMAX是輸入電容的最大串聯(lián)電阻。 對于這種設(shè)計(jì)，輸入電容組成
的兩個(gè)4.7μF電容C1和C4并聯(lián)。 額外的高頻旁路電容C5也被使用。
最大RMS紋波電流也需要檢查。 對于最壞的情況，這可能是
由等式3近似：
在這種情況下，輸入紋波電壓為281 mV，RMS紋波電流為2.5 A.
輸入電容器兩端的電壓為VIN max加上VIN / 2。 所選輸入去耦電容
額定電壓為50 V，紋波電流容量均大于2.5 A，提供足夠的余量。 這個(gè)很
重要的是在任何情況下都不會(huì)超過電壓和電流的最大額定值。
此外，可能需要一些大容量電容，特別是如果TPS5450電路不在大約內(nèi)
距輸入電壓源2英寸。 這個(gè)電容的值并不重要，但它也應(yīng)該被評定為
處理包括紋波電壓在內(nèi)的最大輸入電壓，并應(yīng)對輸出進(jìn)行濾波以使輸入紋波電壓
可以接受。
輸出濾波器組件
需要為輸出濾波器L1和C2選擇兩個(gè)組件。 由于TPS5450是內(nèi)部的
補(bǔ)償設(shè)備，可以支持有限范圍的過濾器組件類型和值。
電感選擇
要計(jì)算輸出電感的最小值，請使用公式4：
KIND是表示相對于最大輸出電流的電感紋波電流量的系數(shù)。
確定電感中紋波電流的數(shù)量時(shí)需要考慮三件事：峰值為
峰值紋波電流會(huì)影響輸出紋波電壓幅度，紋波電流會(huì)影響峰值開關(guān)電流
并且紋波電流的大小決定了電路在哪一點(diǎn)變得不連續(xù)。 用于設(shè)計(jì)
TPS5450，0.2到0.3的KIND產(chǎn)生良好的結(jié)果。 配對時(shí)可以獲得低輸出紋波電壓
使用合適的輸出電容時(shí)，峰值開關(guān)電流將遠(yuǎn)低于電流限制設(shè)定值
在不連續(xù)操作之前可以獲得相對較低的負(fù)載電流。
對于本設(shè)計(jì)示例，使用KIND = 0.2，最小電感值計(jì)算為10.4μH。 更高
標(biāo)準(zhǔn)值為15μH，用于本設(shè)計(jì)。
對于輸出濾波電感，重要的是不要超過RMS電流和飽和電流額定值。
RMS電感電流可以從公式5中找到：
并且峰值電感電流可以用公式6確定：
對于這種設(shè)計(jì)，RMS電感電流為5.004 A，峰值電感電流為5.34 A.
電感是Sumida CDRH1127 / LD-15015μH。 它的飽和和最小額定電流均為5.65 A
RMS電流。 一般來說，與TPS5450一起使用的電感值范圍為10μH至100μH。
電容選擇
輸出電容的重要設(shè)計(jì)因素是直流電壓額定值，紋波電流額定值和等效電路
串聯(lián)電阻（ESR）。不能超過直流電壓和紋波電流額定值。 ESR很重要
因?yàn)榕c電感紋波電流一起決定了輸出紋波電壓的大小。實(shí)際值
的輸出電容并不重要，但確實(shí)存在一些實(shí)際限制。考慮兩者之間的關(guān)系
設(shè)計(jì)的所需閉環(huán)交叉頻率和輸出濾波器的LC轉(zhuǎn)角頻率。因?yàn)?br /> 設(shè)計(jì)內(nèi)部補(bǔ)償時(shí)，最好將閉環(huán)交叉頻率保持在3的范圍內(nèi)
kHz至30 kHz，因?yàn)榇祟l率范圍具有足夠的相位提升以保證穩(wěn)定的工作。對于這種設(shè)計(jì)
例如，假定預(yù)期的閉環(huán)交叉頻率將在2590Hz和24kHz之間
也低于輸出電容的ESR零點(diǎn)。在這些情況下，閉環(huán)交叉
頻率與LC轉(zhuǎn)角頻率有關(guān)：
并且輸出濾波器的期望輸出電容值為：
對于12 kHz的理想分頻器和15μH電感，輸出電容的計(jì)算值為330μF。
應(yīng)選擇電容器類型，以使ESR零點(diǎn)高于環(huán)路交叉點(diǎn)。 最大ESR
應(yīng)該：
輸出電容的最大ESR也決定了初始指定的輸出紋波量
設(shè)計(jì)參數(shù)。 輸出紋波電壓是電感紋波電流乘以輸出濾波器的ESR。
檢查電容數(shù)據(jù)手冊中列出的最大規(guī)定ESR是否可以接受
紋波電壓：
注：
ΔVPP是所需的峰峰值輸出紋波。
NC是并聯(lián)輸出電容器的數(shù)量。
FSW是開關(guān)頻率。

對于這個(gè)設(shè)計(jì)實(shí)例，為C3選擇一個(gè)330μF的輸出電容。 計(jì)算出的RMS紋波電流為
143 mA，所需的最大ESR為40mΩ。 滿足這些要求的電容器是三洋
Poscap 10TPB330M，額定電壓為10 V，最大ESR為35mΩ，紋波電流額定值為3 A.
額外的小型0.1μF陶瓷旁路電容器C6也用于此設(shè)計(jì)。
輸出電容的最小ESR也應(yīng)考慮在內(nèi)。 對于良好的相位裕量，ESR為零
當(dāng)ESR最小時(shí)，不應(yīng)該過高于24 kHz和54的內(nèi)部補(bǔ)償極點(diǎn)
千赫。
所選輸出電容的額定電壓也必須大于所需輸出電壓加1
一半的紋波電壓。 任何降額額也必須包括在內(nèi)。 中的最大RMS紋波電流
輸出電容由公式11給出：
注：
NC是并聯(lián)輸出電容的數(shù)量。
FSW是開關(guān)頻率。
其他電容器類型可以與TPS5450一起使用，具體取決于應(yīng)用的需要。
輸出電壓設(shè)定值
TPS5450的輸出電壓由輸出到VSENSE引腳的電阻分壓器（R1和R2）設(shè)置。
使用公式12計(jì)算5 V輸出電壓的R2電阻值：
對于任何TPS5450設(shè)計(jì)，從R1值為10kΩ開始。 對于最接近但至少5 V的輸出電壓，R2是3.16kΩ。
啟動(dòng)電容器
啟動(dòng)電容應(yīng)為0.01μF。
捕捉二極管
TPS5450設(shè)計(jì)用于在PH和GND之間使用外部鉗位二極管。 所選二極管
必須符合應(yīng)用的絕對最大額定值：反向電壓必須高于最大值
PH引腳電壓，即VINMAX + 0.5 V.峰值電流必須大于IOUTMAX加上一半
峰峰值電感電流。 為了獲得更高的效率，正向壓降應(yīng)該很小。 重要的是要
請注意，捕獲二極管的導(dǎo)通時(shí)間通常比高端FET導(dǎo)通時(shí)間要長，因此需要注意
二極管參數(shù)可以使整體效率顯著提高。 另外，檢查設(shè)備
選擇能夠消散功率損失。 對于這種設(shè)計(jì)，選擇了Diodes公司的B540A，
40V的反向電壓，5A的正向電流和0.5V的正向電壓降。
高級(jí)信息
輸出電壓限制
由于TPS5450的內(nèi)部設(shè)計(jì)，任何給定的輸出電壓都有上限和下限
輸入電壓。 輸出電壓設(shè)定點(diǎn)的上限受最大占空比87％的限制，
并由以下給出：
注：
VINMIN =最小輸入電壓
IOMAX =最大負(fù)載電流
VD =鉗位二極管正向電壓。
RL =輸出電感串聯(lián)電阻。
該等式假設(shè)內(nèi)部高端FET的導(dǎo)通電阻最大。
下限受可控制的最小時(shí)間限制，可能高達(dá)200ns。該
給定輸入電壓和最小負(fù)載電流的近似最小輸出電壓由下式給出：
注：
VINMAX =最大輸入電壓
IOMIN =最小負(fù)載電流
VD =鉗位二極管正向電壓。
RL =輸出電感串聯(lián)電阻。
這個(gè)等式假定高側(cè)FET的標(biāo)稱導(dǎo)通電阻并且考慮到最壞情況下的變化
工作頻率設(shè)定點(diǎn)。 任何接近設(shè)備操作限制的設(shè)計(jì)應(yīng)該是
仔細(xì)檢查以確保功能正常。
內(nèi)部補(bǔ)償網(wǎng)絡(luò)
示例電路中給出的設(shè)計(jì)公式可用于使用TPS5450生成電路。 這些
設(shè)計(jì)基于某些假設(shè)，并且傾向于始終在有限范圍內(nèi)選擇輸出電容器
的ESR值。 如果需要使用不同類型的電容器，則可以將其中一個(gè)適用于內(nèi)部補(bǔ)償
的TPS5450。 公式15給出了內(nèi)部電壓模式III的標(biāo)稱頻率響應(yīng)
補(bǔ)償網(wǎng)絡(luò)：
注：
Fp0 = 2165Hz，F(xiàn)z1 = 2170Hz，F(xiàn)z2 = 2590Hz
Fp1 = 24kHz，F(xiàn)p2 = 54kHz，F(xiàn)p3 = 440kHz
Fp3代表非理想的寄生效應(yīng)。
利用這些信息以及所需的輸出電壓，前饋增益和輸出濾波器特性，
可以導(dǎo)出閉環(huán)傳遞函數(shù)。
熱計(jì)算
以下公式顯示了如何估算連續(xù)導(dǎo)通模式下的器件功耗
操作。 如果器件在非連續(xù)導(dǎo)通模式下在輕載下工作，則不應(yīng)使用它們。
傳導(dǎo)損耗：Pcon = IOUT
2
x RDS（on）x VOUT / VIN
開關(guān)損耗：Psw = VIN×IOUT×0.01
靜態(tài)電流損耗：Pq = VIN×0.01
總損失：Ptot = Pcon + Psw + Pq
給定TA =>估計(jì)的結(jié)溫：TJ = TA + Rth×Ptot
給定TJMAX = 125°C =>估計(jì)的最大環(huán)境溫度：TAMAX = TJMAX - Rth x Ptot
性能圖
性能曲線圖（圖12至圖18）適用于圖11中的電路。Ta = 25°C。
除非另有規(guī)定。
包裝信息


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